Cтраница 2
Иногда при условии активации практически всех донорных или акцепторных центров, когда собственная проводимость еще почти не имеет значения, а кривой а f ( T) может появиться область понижения проводимости за счет преобладающего влияния падающей подвижности носителей заряда. При дальнейшем повышении Т и усилении генерации подвижных носителей заряда собственно полупроводника опять повышается проводимость. [16]
При измерении температурной зависимости диэлектрических потерь у литиево-силикатного стекла при частоте 1 Мгц до и после кристаллизации О. В. Мазуриным установлено, что потери проводимости у стекла значительно выше, чем потери у тех же образцов в кристаллическом состоянии. По мнению О. В. Мазурина, это свидетельствует о том, что понижение проводимости при кристаллизации стекла происходит не только благодаря фазовым разрывам [ согласно Р. Л. Мюллеру ], но и вследствие более прочного закрепления ионов в кристаллической решетке. [17]
Например, если введение ионов Li в кристалл, содержащий двухзарядные катионы, приводит к понижению проводимости, то это указывает на проводимость л-типа. Увеличение проводимости при введении ионов Li свидетельствует о проводимости р-типа. [18]
Температура плазмы дуги зависит от плотности тока и от содержания в ней элементов, обеспечивающих повышение или понижение проводимости плазмы. Введение в плазму элементов с низким потенциалом ионизации, например кальция, натрияг калия, обеспечивает высокую проводимость плазмы при низких температурах и неизменной плотности тока. [19]
Температура плазмы дуги зависит от плотности тока и от содержания в ней элементов, обеспечивающих повышение или понижение проводимости плазмы. Введение в плазму элементов с низким потенциалом ионизации, например: кальция, натрия, калия - обеспечивает высокую проводимость плазмы при низких температурах и неизменной плотности тока. При том же токе введение элементов с большим сродством к электрону обеспечивает повышение температуры плазмы. Увеличение плотности тока в столбе дуги приводит к возрастанию температуры плазмы. Температура плазмы в сварочных дугах с плавящимися электродами достигает 6 - 8 тыс. С. Для дуг с неплавящимся вольфрамовым катодом температура находится в пределах 10 - 15 тыс. С. [20]
Зурмана [30] по влиянию адсорбции молекул Н2О, а также молекул других газов на проводимость весьма тонкого слоя никеля. В более ранней работе Фери [31 ] для Н2О на слое платины был получен, однако, противоположный результат, а именно понижение проводимости в результате адсорбции. [21]
![]() |
Зависимость электропроводности окиси меди ( I от давления кислорода при 700 - 900 С. [22] |
Окись меди ( I) при обычных условиях находится в термодинамически неравновесном ( закаленном) состоянии, что обусловливает избыточное против стехиометрии содержание кислорода и дырочную проводимость. Электропроводность окиси меди ( I) в области ее стабилизации ( в равновесном состоянии) Сильно уменьшается. Понижение проводимости свидетельствует о том, что в стабильной окиси меди ( I) наблюдается меньшая концентрация сверхстехиометрич-ных атомов кислорода. [23]
![]() |
Зависимость электропроводимости ме-талла ( / и полупроводника ( 2 от температуры. [24] |
Электропроводимость металлов выше 104 Ом - - см-1, диэлектриков ниже 10 - Ом - - см - ( при 298 К), проводимость полупроводников лежит между этими значениями. Температурная зависимость проводимости металлов определяется временем свободного пробега электронов. С повышением температуры тепловые колебания атомов в узлах кристаллической решетки усиливаются, что приводит к увеличению взаимодействия их с электронами и к понижению проводимости. [25]