Cтраница 2
Тело, находящееся в состоянии электризации, обладает, как говорят, зарядом, служащим мерой наэлектризованности тела. Определение понятия заряда будет дано ниже. [16]
В знакомом читателю курсе общей физики дается представление о фактах, на основании которых формируется понятие заряда. [17]
От геометродинамики следует ожидать, скорее всего, качественных предсказаний и развития новых концепций в теории, а не точных вычислений. Гравитационный коллапс [18] является именно тем физическим процессом, анализ которого в конце концов позволит установить связь между частицами и геометрией. И самым вдохновляющим в выяснении значения планковской длины является понятие заряда как силовых линий, заключенных в топологии пространства. [18]
Заряд, или поток через ручку, является неквантованным. Он в равной степени может иметь то или иное значение и непосредственно не может быть связан с квантованным зарядом, наблюдаемым в квантовой физике у элементарных частиц. Подобное обстоятельство не может служить возражением против понятия классического неквантованного заряда. Это есть предупреждение о совершенно ином содержании понятия квантованного заряда. [19]
Основой ее следует, видимо, считать полупроводники, ферриты и сегнетоэлектрики. Время, когда электротехника базировалась только на понятиях активного сопротивления, индуктивности и емкости, давно прошло. Автор, полностью разделяя взгляды своих учителей, считает, что суть явлений в электротехнике следует объяснять, основываясь на понятиях заряда, поля и молекулы. Хиппеля Молекулярная техника ( Molecular Engineering) по справедливости следует считать основополагающим трудом, развивающим такой подход к рассмотрению явлений в электронике и электротехнике. [20]
Экспериментальное определение зарядов встречает известные трудности. Трудности встречаются уже при определении понятия заряда части соединения, например, эффективного заряда на атомах. При расчетах по методу МО ЛКАО это понятие имеет определенный математически четко определяемый смысл. Однако в экспериментах проявляется несколько другой заряд, причем в разных экспериментах разные заряды, и не всегда ясно, с чем нужно эти заряды сравнивать, чему их приписать. [21]
При объединении атомов в кристалл изменяется сама форма ф-функций валентных электронов. Эта перестройка происходит в основном на периферии атома, в то время как сдвиги уровней Абг определяются поведением tyj в окрестности ядер. В эту окрестность проникают электроны соседних ионов. Таким образом, сдвиги уровней Де; являются сложными функционалами изменения результирующей плотности заряда Ар и могут служить характеристиками зарядов ионов только в предположении, что функции tyj сохраняют свою форму, а частичный переход электрона к другому иону описывается изменением коэффициента при я зу. Однако такое навязывание поведения электрона делает понятие заряда слишком искусственным. В действительности, перестройка состояний валентных электронов по-разному меняет Ар в окрестности ядра и на периферии атома. Легко предвидеть, что сдвиги уровней К, L, М, N оболочек будут давать различные значения зарядов ионов. [22]
В настоящее время известно уже немало работ, посвященных таким расчетам ( см. раздел V. Экспериментальное определение зарядов встречает известные трудности. Трудности встречаются уже при определении понятия заряда части соединения, например, эффективного заряда на атомах. [23]