Закрытие - транзистор
Cтраница 2
Параметры схемы выбирают так, чтобы время от начала заряда конденсатора до момента закрытия транзистора VT3 было больше периода повторения входных импульсов. При этом на выходе реле получают дискретный потенциальный сигнал UBbK. Реле возвращается в начальное состояние только при снижении амплитуды входного напряжения ниже напряжения пробоя стабилитрона. Коэффициент возврата реле близок к единице. [16]
Включаются тиристоры короткими импульсами снимаемыми с их силовых электродов при открытии транзистора; отключаются - после закрытия транзистора при первом переходе тока через руль, Выключатель рекомендуется для активно-индуктивной нагрузки ( электромагниты, электродвигатели и др.) [ А. [17]
Если входной сигнал станет выше предела срабатывания, то происходит лавинообразное открытие транзистора 7 4 и закрытие транзистора Г2 4 - С диода Д2 - 4 ( клемма 6) снимается отрицательное напряжение и через резистор Л2 - 4 подается на базу транзистора Tj-4 - Величина этого напряжения устанавливается делителем Rg-&, Л2 - 10, 8 - 4 и определяет зону нечувствительности релейного элемента при переключении ( переходе) с высокого потенциала на нулевой. С диода 1з - з и коллекторной нагрузки инвертора ( блок 36) подаются управляющие сигналы на тиристоры Ог - д, Dz. [18]
В результате этого может возникнуть ненужное ( ложное) срабатывание стабилитрона Дст и последующее открытие транзистора 77 и закрытие транзисторов Т2 и ТЗ. В результате снизятся напряжение и мощность генератора. [19]
Включаются тиристоры короткими импульсами, снимаемыми с их силовых электродов при открытии транзистора; отключают - ся - после закрытия транзистора при первом переходе тока через нуль, Выклюлатель рекомендуется для активно-индуктивной нагрузки ( электромагниты, электродвигатели и др.) [ А. [20]
 |
К расчету влияния индуктивности монтажных проводников. [21] |
Пусть в нашей чопперной схеме присутствует паразитная индуктивность L, которая при протекании тока iD накапливает энергию, как показано на рис. 9.14. Когда транзистор VT закрывается, току iD требуется цепь разряда, однако поскольку ее нет, ток уменьшается со скоростью закрытия транзистора. [22]
Имитация открытия транзистора может быть также выполнена посредством шунтирования изолированным проводником его выводов эмиттер - коллектор. Закрытия транзистора наиболее просто добиться, закорачивая егр выводы эмиттер - база. Постепенно устанавливая факт работоспособности каждого узла, доходят до места неисправности и устраняют ее. Преимуществом данного способа является дополнительное усвоение принципов действия разработанного устройства, а недостатком - большие затраты-времени на поиск неисправности, если она находится в узле, близком к входу. [23]
Длительность импульса Ги определяется временем, в течение которого транзистор находится в открытом состоянии. Пссле закрытия транзистора образуется пауза между импульсами. При этом образуется отрицательный импульс выходного напряжения в результате выброса коллекторного напряжения, вызываемого рассеиванием энергии, накопленной в трансформаторе. Длительность паузы 7П определяется временем, в течение которого происходит разряд конденсатора до напряжения, равного нулю. После этого начинается формирование нового импульса. [24]
При закрытии транзистора Тр2 принимается, что ток / вых. [25]
За счет заряда конденсатора в момент отпираяия транзистора ток в базе транзистора увеличивается. При закрытии транзистора энергия, запасенная в конденсаторе, способствует запиранию, тем самым ускоряя процесс. [26]
 |
Схемы импульсных усилителей с емкостной связью ( а, в и диаграммы кмпульсов на входах и выходах ( б, г этих усилителей. [27] |
Свых Импульс положительной полярности с Свых представляет собой выходное напряжение [ Увых. Следует иметь в виду, что закрытие транзистора VT произошло еще раньше - по окончании заряда конденсатора СВх, поэтому длительность выходного сигнала определяется постоянной времени заряда входного конденсатора. [28]
Схема с активно-индуктивной RnLu-нагрузкой ( каким-либо электромагнитным устройством: муфтой, электромагнитом и др.) отличается тем, что нагрузку обычно [44] шунтируют вентилем Вш, рис. 8.15, а. Это вызвано тем, что при закрытии транзистора и спадании тока ц в индуктивности нагрузки возникает ЭДС самоиндукции BL - Ladiu / dt, стремящаяся поддержать ток г в прежнем направлении. При отсутствии Вш ЭДС EL и Е складываются, напряжение икл резко возрастает, а это может вызвать пробой транзистора и выход его из строя. При наличии вентиля с отключением транзистора Вш открывается, по нему замыкается ток / ( показано штриховой линией), и напряжение на транзисторе не превышает Ек, так как напряжение на открытом вентиле очень мало. [29]
Схема с активно-индуктивной RaLs-нагрузкой ( каким-либо электромагнитным устройством: муфтой, электромагнитом и др.) отличается тем, что нагрузку обычно [44] шунтируют вентилем Вш, рис. 8.15, а. Это вызвано тем, что при закрытии транзистора и спадании тока ia в индуктивности нагрузки возникает ЭДС самоиндукции CL - Lsdia / dt, стремящаяся поддержать ток ( я в прежнем направлении. [30]
Страницы: 1 2 3 4