Cтраница 1
Порог генерации - состояние квантового устройства, при котором энергия, излучаемая веществом на частоте рабочего перехода, равна полной потере энергии на этой частоте. [1]
Порог генерации лазерных диодов зависит от геометрии активной области, поэтому вместо понятия порогового тока часто пользуются понятием плотности порогового тока. [3]
Порогу генерации примерно соответствует зс 1 7 Ю-3 и мощность подкачки Рр 2000 вт в импульсе. Экспериментальные значения коэффициента усиления изменяются от единицы при Рр 800 вт до 130 дб при Рр 8000 вт. [4]
Измеряется порог генерации при двух значениях кг. [5]
Изменение порога генерации ПД под влиянием процедуры обусловливания в изолированном командном нейроне заставляет высказать предположение, что в этом процессе замешана электровозбудимая мембрана. [6]
![]() |
Полосновый инжекционный лазер. а - общий вид в сборке. б-схема 1, я - сечение вблизи активной области ( АО. [7] |
На пороге генерации должны быть выполнены 1 Два условия - компенсация энергетнч. [8]
На пороге генерации ( отмечено пунктиром) Р2 10 - 8 Вт. [10]
Для превышений порога генерации а 2 полная ширина спектра шумов выходного излучения лазера Айш приближается - к ширине отдельной моды резонатора Асор. [11]
При достижении порога генераций потенциалов действия пейсмекерные потенциалы переходят в спайки. При многократном применении раздражителя пейсмекерная активность ослабевает, и генерация спайков прекращается. При нанесении более сильного раздражителя реакция возникает снова, после чего временно восстанавливается ответ и на ранее применявшийся более слабый раздражитель. Таким образом, динамика привыкания пейсмекерного механизма в изолированном командном нейроне полностью воспроизводит привыкание в условиях полуинтактного препарата. Сопротивление мембраны при этом остается постоянным. [12]
Поэтому рассмотрим вначале порог генерации без учета радиационного шума. В инжекционных лазерах толщина активного слоя обычно меньше, чем толщина слоя, в котором происходит рекомбинация. [13]
Наконец, на пороге генерации, где параметр накачки а 0, распределение 3 ( 1) имеет характер полуобрезанного гауссовского распределения, и наклон & ( 1) при / 0 равен нулю. Следовательно, очень малые значения интенсивности света имеют приблизительно одинаковые вероятности. [15]