Порог - генерация
Cтраница 2
Поэтому для осевых лучей порог генерации достигается раньше и энергия в излучении лазера уносится преимущественно ими. Это означает, что излучение лазера сосредоточено в узком параллельном пучке лучей, угол расходимости которого обусловливается главным образом дифракцией. [16]
 |
Схема генера - Обратимся теперь к конкретной схеме. [17] |
Для исследования явлений вблизи порога генерации ( этот режим представляет специальный физический интерес, поскольку именно здесь можно проследить, как происходит формирование когерентного негауссовского излучения из стационарного гаус-совского шума) мы пользуемся методами уравнения Фоккера - Планка и статистической линеаризации; результаты хорошо согласуются между собой. Заметим наконец, что для описания закономерностей формирования когерентного излучения из шума при переходе через порог генерации плодотворным оказывается использование методов теории фазовых переходов. [18]
Первое условие означает превышение порога генерации на конечную величину, а второе - превышение неоднородным уширением величины однородного. [19]
 |
Значения Н2 и Н3 в зависимости от нормированного среднего числа фотоотсчетов п п / п0. [20] |
В области значительно ниже порога генерации значения Я. Приведенные результаты относятся к статистическим характеристикам лазерного излучения в установившемся процессе генерации. [21]
Лы подойти близко к порогу генерации, wo не переступить его. [22]
При поле подкачки, превышающем порог генерации, крутой фронт импульса подкачки вызывает экспоненциальное нарастание выходного сигнала и усиление достигает чрезвычайно больших значений, характерных для сверхрегенерации. При заданной восприимчивости Хг коэффициент усиления, естественно, зависит от длительности импульса подкачки. При усилении 110 дб и длительности импульса 2 мксек ширина полосы, измеренная с помощью частотно-модулированного сигнала, составляла 1 5 мггц. При более высоких температурах феррита установившийся уровень возрастает до 350 вт. [23]
В этом случае после превышения порога генерации - f 0l я интенсивность излучения монотонно нарастает. [24]
Скорость накачки Р после достижения порога генерации лазера в течение процесса формирования импульсов может считаться постоянной, так как этот процесс протекает за малое по сравнению с длительностью накачки время. [25]
Так как при подходе к порогу генерации полоса входного контура получается весьма узкой, для настройки желательно использовать верньер с небольшим замедлением. [26]
 |
Связь между энергией электронов Ее и глубиной их проникновения в полупроводник de. Слева отмечены пороговые энергии возникновения радиационных дефектов. [27] |
В § 20 показано, что порог генерации резко возрастает, когда толщина активной области становится сравнимой или меньше длины волны генерируемого излучения. Это накладывает ограничения на Ее снизу. Если Ее; Efm, то глубина проникновения электронов в кристалл, а следовательно, и толщина активного слоя оказываются слишком малыми, чтобы можно было преодолеть дифракционные потери излучения. [28]
Близкая аналогия между поведением лазера вблизи порога генерации и фазовым переходом второго рода ясно показывает, что кооперативное явление может развиваться даже в условиях, далеких от теплового равновесия. Другими примерами являются мягкие моды в сегнетоэлектрике, химические реакции и турбулентность. [29]
Страницы: 1 2 3 4 5