Быстродействие - ключ
Cтраница 1
 |
Ключ передачи сигнала с однофазным управлением. [1] |
Быстродействие ключа улучшает то, что один из транзисторов включен по схеме каскада с нагрузкой в цепи стока. [2]
В практических случаях следует учитывать, что быстродействие ключа существенно зависит от элементов управляющей цепи. [3]
 |
Ключ с емкостью нагрузки ( а и кривые, поясняющие процессы в нем ( б, в. [4] |
Таким образом, наличие емкости Сн уменьшает быстродействие ключа. Кроме того, проведенный анализ устанавливает противоречие требований к сопротивлению коллекторного резистора RK: оно должно быть велико при включении транзистора и мало при выключении. [5]
В практических случаях следует учитывать, что быстродействие ключа существенно зависит от элементов управляющей цепи. [6]
Увеличение сопротивления Rc приводит не только к ухудшению быстродействия ключа. Высокоомный резистор Лс трудно реализовать в интегральном исполнении, поэтому при разработке ключевых ИМС на МДП-транзисторе применяют схемы ключей, в которых вместо резистора Re в качестве нагрузки используются МДП-транзисторы. [7]
 |
Импульсная ЛЗ, сохраняющая амплитудные соотношения, выполненная на двуполярпых и канальных транзисторах. [8] |
Для уменьшения влияния порогового напряжения канального транзистора и повышения быстродействия ключа амплитуда тактирующего напряжения должна значительно превышать напряжение на истоке и пороговое напряжение транзистора. [9]
Подобные графики помогают назначать запирающий ток / б2 по условиям быстродействия ключа. [10]
 |
График функции. [11] |
Кривая, изображенная на рис. 3.6, помогает выбирать отпирающий ток базы по соображениям быстродействия ключа. [12]
Сравнивая полученные значения с длительностью, определяемой по формуле ( 5 - 11), видим, что быстродействие комплементарного ключа почти на порядок выше, чем у ключей других типов. [13]
 |
Ключевой режим транзистора с С-цепью. [14] |
Требования к величине включающего сигнала ( тока базы в схеме с общим эмиттером) с точки зрения повышения быстродействия ключа противоречивы. С одной стороны, для получения короткого фронта включения этот ток нужно увеличивать, но, с другой стороны, при увеличении тока базы возрастает степень насыщения включенного транзистора, что приводит к увеличению времени рассасывания носителей из области базы. [15]
Страницы: 1 2 3