Быстродействие - ключ
Cтраница 2
 |
Ключевые схемы. [16] |
При подключении затвора нагрузочного транзистора к источнику питания с напряжением, превышающим напряжение питания основной части схемы, повышается быстродействие ключа. Оптимальный выбор напряжения питания затворов приводит к повышению быстродействия схемы в 5 - 10 раз. [17]
 |
Ключевые схемы. [18] |
При подключении затвора нагрузочного транзистора к источнику питания с напряжением, превышающим напряжение питания основной части схемы, повышается быстродействие ключа. Оптимальный выбор напряжения питания затворов приводит к повышению быстродействия схемы в несколько раз. [19]
 |
Мощный МДП-транзистор в ключевом режиме по схеме с общим истоком ( а и с общим стоком ( б. [20] |
Сначала определим особенности построения цепи управления мощным МДП-транзистором с общим истоком при управлении от ИС, когда требования к быстродействию ключа относительно низкие. [21]
Величина паразитной емкости С ( суммарная емкость диода, нагрузки и монтажа) сказывается на длительности установления выходного напряжения: чем больше С, тем больше эта длительность и меньше быстродействие ключа. [22]
Другое важное достоинство ключей, управляемых через диод, состоит в том, что запирающее напряжение подается в базу транзистора через малое сопротивление диода, включенного в прямом направлении, а это обеспечивает большие запирающие токи и значительно повышает быстродействие ключа. [23]
Совершенство ключа будет тем выше, чем меньше tnep, ip, Замк-Так как ключ имеет два устойчивых состояния, то в разомкнутом состоянии электрическое сопротивление ключа очень велико ( стремится к бесконечности); при замкнутом состоянии ключа сопротивление его практически равно нулю. Быстродействие ключа характеризуется скоростью перехода ключа из одного устойчивого состояния в другое. [24]
В полевом режиме быстродействие ключа определяется временем перезаряда межэлектродных емкостей, и прежде всего входной емкости затвор-исток CGS и переходной емкости затвор-сток CGD - Емкость CGS включает в себя емкость между диффузионными областями управляющего р-п-перехода и емкость между металлизированными дорожками истока и затвора. Емкость Сао связана прежде всего с обедненной областью и прямо пропорциональна площади активной области транзистора и обратно пропорциональна ширине области пространственного заряда сток-исток. Обе емкости уменьшаются с ростом стокового напряжения. [25]
Кроме этого, необходимо учитывать этапы модуляции проводимости канала и рассасывания неосновных носителей. Все это значительно снижает быстродействие ключа по сравнению с полевым режимом. [26]
 |
Упрощенная схема ненасыщенного транзисторного ключа с нелинейной обратной связью. [27] |
Насыщенные ключи характеризуются малой мощностью рассеяния на коллекторном переходе во включенном состоянии и хорошей помехоустойчивостью. Однако в этом режиме из-за задержки выключения транзистора снижается быстродействие ключа. Кроме того, время выключения транзистора зависит от изменений окружающей температуры и может быть различно для различных транзисторов. Этот недостаток может быть устранен путем использования больших рассасывающих токов, что, однако, связано с применением специальных стробирующих каскадов. Другим недостатком насыщенных схем является большая мощность рассеяния на базе при больших степенях насыщения. [28]
В ключевых элементах коэффициент трансформации выбирают так, чтобы крутизна нарастания фронта была максимальной. Это способствует уменьшению длительности импульса, а следовательно, повышению быстродействия ключа. Влияние входного трансформатора можно учесть при помощи эквивалентной схемы, рис. 2.14, б, в которой упр УПР / ЯВХ и Явн ЯЕН / ЯВХ представляют собой напряжение источника управляющих сигналов и его внутреннее сопротивление, приведенные ко вторичной обмотке. [29]
 |
ЦАП с равными разрядными токами и с суммированием их с помощью цепи R, 2R.| ЦАП с применением диодных ключей для коммутации разрядных токов. [30] |
Страницы: 1 2 3