Быстродействие - микросхема
Cтраница 1
 |
Эпюры напряжений в цепи микросхем И2Л при их переключении. [1] |
Быстродействие микросхем И2Л, определяемое продолжительностью переходных процессов, в значительной мере зависит от тока инжекции: оно растет с увеличением этого тока. [2]
Таким образом, быстродействие микросхемы памяти ОЗУ определяется в основном задержками сигналов в схемах обслуживания и в меньшей степени - в элементах памяти. [3]
 |
Принципиальная схема базового элемента ТТЛ повышенного быстродействия. [4] |
Второй путь повышения быстродействия микросхем ТТЛ - более результативный и перспективный - связан с применением транзисторов с барьером Шотки. [5]
Средняя задержка распространения сигнала характеризует быстродействие микросхемы. Задержка распространения возникает вследствие задержки переключения логической микросхемы из одного крайнего состояния в другое и обратно. [6]
Чем она меньше, тем ниже быстродействие микросхемы, но при этом легче осуществляется теплоотвод и повышается надежность. [7]
Серия MECL 100000 ( или, кратко: MECL 100K) превосходит по быстродействию микросхемы перспективных серий ТТЛШ. На рис. 3.4, б показан эскиз сечения биполярною транзистора, разработанного для этих субнаносекундных микросхем ЭСЛ. За счет существенно меньшей площади интегрального транзистора плотность упаковки повышается до 20 элементов на квадратный миллиметр поверхности, хотя число транзисторов в элементе ЭСЛ стало почти в два раза больше. На таких транзисторах строятся БИС ЭСЛ и матрицы памяти. [8]
Технология п - МДП, пришедшая на смену р - МДП технологии, позволяет увеличить вдвое уровень интеграции и в 5 раз повысить быстродействие микросхем. По этой технологии возможна реализация МП с одним источником питания. В настоящее время Я-МДП технология - широко развивается и оценивается как перспективная. [9]
Схемы ЛЭ этой серии ( см. рис. 2.7) отличаются от схем стандартной серии отсутствием демпфирующих диодов и корректирующей цепи, а также значительно увеличенными номиналами резисторов, чем определяются малые уровни токов и мощности потребления при одновременном уменьшении быстродействия микросхем. Микросхемы серии 530 позволяют при температуре 25 10 С, сопротивлении нагрузки RH280OM и емкости нагрузки С 15пФ получить типовое значение времени задержки распространения 5 не на ЛЭ при средней мощности потребления 19 мВт ( ср. [10]
Схемы ЛЭ этой серии ( см. рис. 2.7) отличаются от схем стандартной серии отсутствием демпфирующих диодов и корректи-рующей цепи, а также значительно увеличенными номиналами резисторов, чем определяются малые уровни токов и мощности потребления при одновременном уменьшении быстродействия микросхем. Микросхемы серии 530 позволяют при температуре 25 10 С, сопротивлении нагрузки Ея280Ом и емкости нагрузки С 15пФ получить типовое значение времени задержки распространения 5 не на ЛЭ при средней мощности потребления 19 мВт ( ср. [11]
Основными механизмами деградации свойств эпитакси-альных и диффузионных слоев микросхем с мелкими р-гс-переходами являются движение дислокаций, изменение внутренних напряжений кристаллической решетки, рекристаллизация, распад твердых растворов и др. Указанные процессы приводят к изменению таких характеристик, как концентрация, подвижность, времена жизни носителей заряда, а значит, к повышению токов утечки, снижению пробивного напряжения переходов, ухудшению быстродействия микросхем. [12]
 |
Транзисторная логика с амит - ПОЛНЯТЬ Операцию НЕ, терной связью СОСДИНСНИе Двух ИЛИ. [13] |
Высокое быстродействие в схемах ЭСЛ ( рис. 3.9) достигается применением связи между вентилями через эмиттерные цепи, что обеспечивает работу транзисторов в ненасыщенном режиме, а также благодаря небольшому значению перепада между логическим нулем и единицей. Быстродействие микросхем 100 ( 500) серии, разработанных на основе ЭСЛ-логики, наиболее высокое из всех рассмотренных типов логики ( 2 9 не), однако наиболее высокая и потребляемая мощность. [14]
Быстродействие МДП-транзисторов ограничено временем пролета носителей вдоль канала и временем перезаряда собственной емкости через солротивление канала. Однако быстродействие микросхем на МДП-транзисторах значительно ниже. [15]
Страницы: 1 2