Быстродействие - микросхема
Cтраница 2
 |
Расположение зна. [16] |
Выпускается и разрабатывается большое число типов полупроводниковых микросхем ( главным образом интегральных), отличающихся конструкцией ( структурой) и технологическими приемами изготовления. Во всех этих разработках основное внимание уделяется решению главных задач микроэлектроники: повышению надежности и быстродействия микросхем и снижению их стоимости. Поэтому ведется поиск новых конструктивно-технологических решений, которые позволили бы: 1) добиться максимальной и надежной межэлементной изоляции; 2) повысить степень интеграции и сократить количество паяных и сварных соединений; 3) сократить число технологических операций ( особенно высокотемпературной обработки и совмещения) и повысить выход годных микросхем. [17]
Отличием семейств, начиная с ORCA3, является наличие интерфейса для сопряжения с процессором, допускающее параллельное программирование конфигурации микросхем и подключение процессоров i960 или Power PC. При переходе к семейству ORCA4 акцент был сделан на совершенствовании сигнальной трассировки, задержки сигналов в которой все более определяют общее быстродействие микросхемы. [18]
Технологический разброс сопротивлений для разных микросхем б RIR 10 %, в то время как резисторы с одинаковой геометрией на одном кристалле практически идентичны. Однако в большинстве случаев емкость является нежелательной ( паразитной), так как ухудшает быстродействие микросхем. [19]
Нагрузочная способность характеризуется коэффициентом разветвления по выходу. Дело в том, что нагрузкой, подключаемой к выходу микросхемы, в большинстве случаев являются входные цепи других логических микросхем, причем, к одному выходу может быть подключено несколько таких входов. Коэффициент разветвления по выходу указывает наибольшее число микросхем, аналогичных рассматриваемой, которые могут быть одновременно подключены к ее выходу без нарушения установленных уровней выходных напряжений и быстродействия. Однако с ростом числа нагрузок обычно ухудшаются другие параметры - статическая помехоустойчивость, быстродействие микросхемы. [20]
В отличие от биполярных транзисторов, в МДП-транзисторах ток в канале создается основными носителями. Входное сопротивление МДП-транзисторов со стороны управляющего электрода значительно превосходит входное сопротивление биполярных транзисторов и составляет 1010 - 1014 Ом. Так как входные токи МДП-транзистороь малы, изменением тока в выходной цепи управляет входное напряжение. Поэтому усилительные свойства М ДП-тракзистора, как и в вакуумных лампах, характеризуются крутизной, а не коэффициентами передачи тока, как это имеет место в биполярных транзисторах. Крутизна в МДП-транзисторах для большинства практических применений считается частотно-независимым параметром. Поэтому быстродействие микросхем на этих транзисторах ограничено в основном паразитными параметрами схемы. [21]
Номенклатура выпускаемых ИМС обширна. Имеется свыше ста наименований микросхем этой серии. При всех своих преимуществах: высоком быстродействии, обширной номенклатуре, хорошей помехоустойчивости, - эти микросхемы отличаются сравнительно большой потребляемой мощностью. На смену им выпущены микросхемы серии 555, принципиальное отличие которых - использование транзисторов с коллекторными переходами, за-шунтированными диодами Шотки. Транзисторы микросхем этой серии не входят в насыщение, что существенно уменьшает задержку выключения транзисторов. К тому же они имеют значительно меньшие размеры, что уменьшает емкость их р-п-переходов. В результате при сохранении быстродействия микросхем удалось уменьшить потребляемую ими мощность приблизительно в 4 - 5 раз. [22]
Страницы: 1 2