Быстродействие - транзистор
Cтраница 2
Транзистор VT3 электронного ключа насыщен в открытом состоянии, так что при коллекторном токе 3 А на нем падает всего 0 25 В. Благодаря хорошему быстродействию транзистора и импульсному режиму управления с крутыми фронтом и спадом импульсов управляющего напряжения мощность, выделяемая на транзисторе, не превосходит 0 5 Вт при средних и высоких значениях частоты вращения ротора генератора и 0 8 Вт - при низких. [16]
Когда транзистор заперт, его коллектор стремится к напряжению - УЗ, но благодаря диоду Дс останавливается на уровне - Уз - Это необходимо для обеспечения на входе схемы и стандартного нижнего уровня напряжения, не зависящего от количества схем и, нагруженных на коллектор транзистора. Она способствует быстродействию транзистора. Величина R2 выбирается так, чтобы было обеспечено включение транзистора с наименьшим коэффициентом усиления. [17]
 |
Эквивалентная схема МДП-транзистора для малых переменных составляющих. [18] |
Переходные и частотные характеристики МДП-транзисторов обу словлены перезарядкой межэлектродных емкостей через внешни резисторы, а также перезарядкой емкости затвор - канал через сопро тивление канала. Последний процесс накладывает принципиально ограничение на быстродействие транзистора. МДП-транзистора следует рассматривать как распределенную RC - cu схему. [19]
Диффузионные емкости отсутствуют, так как коллекторный переход в активном режиме всегда смещен в обратном направлении, поэтому диффузионная емкость коллектора мала. Эта схема учитывает основные факторы, снижающие быстродействие транзистора, и достаточно точна для приближенного исследования большинства импульсных процессов. [20]
Исследования показывают, что у транзистора IGBT отсутствует участок вторичного пробоя, характерный для классических биполярных транзисторов. Быстродействие IGBT, к сожалению, ниже быстродействия транзисторов MOSFET, а значит, их трудно использовать в источниках питания с высокими частотами преобразования. [21]
В динамическом режиме из-за инерционности основного стабилизатора его выходное сопротивление в течение времени переходных процессов будет весьма велико. Попутно заметим, что, как ни велико быстродействие транзисторов Т1 и Т2 по сравнению с быстродействием основного, импульсного стабилизатора напряжения, оно все-таки не бесконечно. Поэтому и выбросы и провалы выходного напряжения остаются, но время их существования сокращается на несколько порядков. Чтобы полностью исключить колебания выходного напряжения, на выходе стабилизатора должна быть установлена емкость, достаточная, чтобы скомпенсировать остаточные выбросы и провалы. [22]
 |
Временные диаграммы переходных процессов в транзисторе. [23] |
Длительность переходных процессов зависит от параметров транзистора в активном режиме и инерционности транзистора, обусловленной конечным временем пролета и рекомбинацией неосновных носителей при движении их через область базы от эмиттера к коллектору. Длительность переходных процессов, состоящая из времени включения вкл и времени выключения / выкл, характеризует быстродействие транзистора и определяет величину потерь при переключении. [24]
В ряде случаев составные транзисторы содержат ускоряющий D1 и защитный D2 диоды, первый из которых служит для повышения быстродействия транзистора, а второй - для защиты от возможных перенапряжений в устройстве. [25]
Основное внимание при выборе транзисторов уделяется вопросу - соответствует ли время переключения транзистора заданному быстродействию декады. Задача может рассматриваться и по-другому: установив значение минимального времени переключения, выбирают схемы триггеров и декад, позволяющие реализовать быстродействие транзисторов. Следовательно, в любом случае приходится определять время переключения транзистора. [26]
 |
Схема включения ( а и вольт-амперные характеристики тран. [27] |
МДП-транзистор - это прибор, управляемый напряжением. Потребление тока в цепи затвора отсутствует. Быстродействие транзистора ограничено временем пролета носителей вдоль канала и временем перезаряда емкостей. [28]
Быстродействие кремниевых планарных транзисторов в режиме переключения определяется временем рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе и коллекторе при открытых эмиттерном и коллекторном переходах. Для увеличения быстродействия транзисторов кремний легируется золотом, однако при этом снижается время жизни неосновных носителей т, уменьшается коэффициент усиления р и увеличивается обратный ток / кобр - Наиболее эффективным конструктивным способом повышения быстродействия транзисторов является использование диодов Шоттки, шунтирующих коллекторный переход. Транзистор такого типа называется транзистором Шоттки. [29]
Итак, по первым двум параметрам транзисторные ключи оказываются значительно лучше ламповых. Что касается скорости переключения, то она определяется в основном инерционностью транзистора, которая связана с наличием емкостей p - n - переходов и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в его базе. До недавнего времени быстродействие транзисторов было невысоким и транзисторные ключи были более инерционными, чем ламповые. Однако в последнее время разработаны транзисторы со столь высоким быстродействием, что современные транзисторные ключи превосходят ламповые и по скорости переключения. Поскольку транзисторы имеют значительные преимущества по сравнению с электронными лампами в конструктивном отношении, в импульсных устройствах сейчас используют только транзисторные схемы, которые и будем рассматривать в дальнейшем. [30]
Страницы: 1 2 3