Быстродействие - элемент
Cтраница 2
Часто быстродействие элементов определяется с помощью максимальной частоты синхронизации / мако. [16]
И-НЕ быстродействие элемента ИЛИ-НЕ выше и мало зависит от числа его входов. [17]
Повышение быстродействия элемента ЭСЛ достигается путем заметного увеличения потребляемой мощности. [18]
Такие значения быстродействия элементов допускают применение в устройствах отображения II и III категорий тиратронов и миниатюрных импульсных электролампочек. [19]
Для повышения быстродействия элементов МЭСЛ необходимо уменьшать барьерные емкости р-п переходов, паразитные емкости проводников, сопротивление базы, ограничивать число нагрузок и увеличивать граничную частоту транзисторов. Все это достигается совершенствованием конструкции и технологии изготовления микросхем. Уменьшение сопротивления RK ограничено увеличением потребляемой мощности. [20]
Ввиду повышения быстродействия элементов цифровых приборов точка пересечения кривых в координатах точность и быстродействие сдвигается вправо, расширяя зону, в которой более совершены цифровые приборы. [21]
По сравнению с быстродействием элементов аппаратная реализация дополнительных функций является более важным фактором увеличения мощности ЭВМ. Эти функции по своей природе могут быть либо алгоритмическими, либо архитектурными. Развитые алгоритмические функции обеспечивают выполнение тех же операций, что и в малых машинах, но с применением более быстрых и дорогих алгоритмов или параллельной обработки. Например, сложение двоичных чисел может осуществляться по нескольким различным алгоритмам. В простом сумматоре фактором, ограничивающим скорость сложения, является распространение переносов, так как они вырабатываются последовательно, начиная с младшего разряда. Более сложная конструкция работает по схеме упреждения переноса, благодаря чему уменьшаются время распространения и общее время сложения. Необходимые для этого технические средства сложнее, и, следовательно, их стоимость больше, но в результате возможности ЭВМ возрастают. [22]
 |
Определение времени задержки элемента.| Передаточная характеристика логического элемента. [23] |
Обычно, чем выше быстродействие элемента, тем больше потребляемая им мощность. В некоторых типах элементов потребляемая мощность резко возрастает во время перехода из одного состояния в другое. Для них дополнительно указывается мощность, потребляемая на максимальной частоте переключения. [24]
Максимальная частота переключения определяет быстродействие элемента. Логические элементы ЭЦВМ должны сохранять физические и логические функции при изменении частоты вплоть до максимальной тактовой частоты. Для этого схемы элементов строят так, чтобы переходные процессы затухали полностью за время одного такта работы и к моменту прихода последующего импульса устанавливался бы статический режим. [25]
Поэтому даже в оптимальном случае быстродействие элементов ИЛИ-НЕ ( в предположении, что они нагружены на подобные ЛЭ) примерно в 2 раза хуже, чем элементов И-НЕ. [26]
Вторым важным фактором, определяющим быстродействие элемента памяти, является скорость отвода от него тепла, возникающего за счет потерь в перемычке при разрушении в ней сверхпроводимости. Эти потери составляют около 1 ( Г10 дж, и при изготовлении элементов на слюде соответствующий отвод тепла может быть обеспечен при длительности переключающих импульсов 0 01 мксек и частоте следования их до 50 Мгц. [27]
Емкость Сд во многом определяет быстродействие элементов полупроводниковой электроники. [28]
Во многих случаях требуются более точные оценки быстродействия элементов, учитывающие в каждом конкретном случае используемые логические возможности, параметры входных сигналов, напряжение питания, климатические условия, геометрию связей логического элемента, что позволяет полнее использовать заданную элементную базу для построения БМЦУ. [29]
 |
Структурная схема самопроверяемого блока. [30] |
Страницы: 1 2 3 4