Быстродействие - элемент
Cтраница 3
Усложнение структуры ЭВМ, повышение степени интеграции и быстродействия элементов приводят к увеличению относительной доли сбоев в общем числе ошибок ЭВМ. [31]
В результате этого удельные проводимости транзисторов определяют только быстродействие элемента, а не выходной нулевой уровень и потребляемую мощность. [32]
Следует иметь в виду, что существенное повышение быстродействия элементов арифметического устройства, как правило, приводит к увеличению мощности, а следовательно, и к применению более сложных и менее надежных электронных ламп. Однако повышение быстродействия за счет логической структуры арифметического устройства позволяет получить существенное ускорение выполнения операций при сравнительно умеренном увеличении аппаратуры. [33]
 |
Совмещение выполнения операций. [34] |
Быстродействие ЦВМ в значительной степени зависит не только от быстродействия элементов, но и от схемного решения реализации команд. [35]
Первая проблема возникает в связи с желанием максимально использовать быстродействие элементов схемы, вторая - с необходимостью уменьшить мощность, рассеиваемую схемой в процессе функционирования, и, наконец, третья - с необходимостью увеличить время живучести систем. [36]
АТС ( ( КЭАТС), IB которых благодаря быстродействию элементов, коммутирующих разговорный тракт, более эффективно используются электронные устройства управления. [37]
 |
Логический элемент 4И - НЕ ТТЛ с диодами Шоттки ( ТТЛШ. [38] |
Времена накопления и рассасывания избыточного заряда в базах транзисторов ограничивают быстродействие элементов ТТЛ. [39]
Следует отметить, что включение RG приводит к некоторому ухудшению быстродействия элемента, так как при этом уменьшаются величины прямого и обратного токов базы и растут задержки включения и выключения транзисторов. Заметим, однако, что такая схема с резистивно-емкостной связью ( РЕСТЛ) редко используется в интегральном исполнении из-за наличия конденсате ра. [40]
Использование многоэмиттерного транзистора специфично для интегрального исполнения логических элементов и позволяет повысить быстродействие элементов вследствие того, что их переключение происходит не через пассивные компоненты входных цепей, а через активные. В схеме 1 и 0 соответствуют положительные сигналы высокого и низкого уровня. [41]
В настоящее время этот путь достигает предела своих возможностей; дальнейшее повышение быстродействия элементов требует все более сложных технологических процессов и в ряде случаев является практически нереализуемым. [42]
 |
SAINT-процесс. Пример процесса самосовмещения при изготовлении. [43] |
Длина канала в полевых транзисторах с затвором Шоттки является важнейшим параметром, определяющим быстродействие элемента. Другой важной величиной является сопротивление между затвором и областями стока и истока, которое определяет величину выходного сопротивления при различных включениях транзистора. [44]
Верхняя граничная частота / в рабочей области частот описанного измерителя обусловлена главным образом быстродействием элементов, из которых выполняется схема прибора. Получение значения / в1 МГц не представляет трудностей. [45]
Страницы: 1 2 3 4