Высокое быстродействие

Cтраница 2

Высокое быстродействие бывает необходимо в системах регулирования не только скорости, но и давления. Поэтому рассмотрим вопрос о создании регуляторов, реагирующих на изменение давления и производную по этому изменению. [16]

Высокое быстродействие и точность достигаются повышением передаточного коэффициента, при этом все в большей мере проявляется влияние нелинейностей. Это накладывает существенные ограничения на передаточный коэффициент, а следовательно, на точность и быстродействие системы. [17]

Высокое быстродействие, повышенная температурная и радиационная стойкость и надежность, возможность формирования мощных импульсов на низкоомной нагрузке, резкое упрощение схемных решений и другие полезные качества лавинных транзисторов делают их весьма перспективными приборами. [18]

Высокое быстродействие, расширенная номенклатура периферийного оборудования, информационная и техническая совместимости моделей обеспечивают возможность эффективного использования ЕС ЭВМ в АСУ самого различного уровня и назначения. [19]

Высокое быстродействие или, иначе говоря, хорошие динамические характеристики, требуются от расходомера, применяемого для контроля быстро протекающих процессов и при исследовании переходных режимов. При измерении пульсирующих потоков, которые образуются довольно часто и прежде всего в результате работы поршневых машин-насосов и компрессоров, обычно требуется лишь правильное измерение среднего, а не мгновенных значений расхода. [20]

Высокое быстродействие МП БИС может быть достигнуто при использовании различных модификаций ненасыщенной малосигнальной транзисторной логики ( МЛТ) на схемах ЭСЛ, особенно двухуровневых модификаций этих схем. При проектировании такого типа БИС применяются кристаллы со стандартной матрицей элементов и многофункциональные ячейки. [21]

Высокое быстродействие приборов на основе эффекта Ганна привлекает внимание разработчиков вычислительной аппаратуры. В [22] сообщается о разработке аналого-цифрового преобразователя на основе функциональных интегральных схем с возбужденным доменом. Известно, что по пути движения домена полупроводниковый материал может быть неоднородно легирован или иметь различное поперечное сечение. При прохождении доменом областей с различной проводимостью ток в образце изменяется; соответственно изменяется форма кривой на выходе. Изменение проводимости приводит к изменениям статической характеристики, однако форму кривой выходного тока можно варьировать путем мгновенного изменения смещения. Кроме того, положение точки, в которой домен рассасывается, может быть пропорционально приложенному напряжению, если профиль прибора имеет сильный наклон или ловушку. Таким образом, число импульсов выходного тока может быть пропорционально приложенному напряжению. На основе этого явления на образце арсенида галлия длиной 2 мм был создан шестиразрядный преобразователь с 64 уровнями. [22]

Высокое быстродействие короткозамыкателя ( примерно 1 - 2 мс) позволяет исключить повреждение полупроводниковых вентилей и срабатывание предохранителей, включенных последовательно с каждым вентилем. Одновременно с замыканием силовых контактов замыкаются блок-контакты БК, включающие питание расцепителя Р автоматического выключателя, который отключает силовой трансформатор. АВ и на первичной стороне, однако в любом случае время срабатывания выключателя не должно превышать предельной величины, при которой обеспечивается термическая стойкость контактов короткозамыкателя. [23]

Высокое быстродействие ДИП объясняется весьма малым чувствительным объемом детектора и большой скоростью сбора ионов в режиме насыщения. [24]

Высокое быстродействие элементов ИгЛ получено в структуре, представленной на рис. 7.30, создаваемой с помощью многократных операций самосовмещения. Горизонтальные размеры указанных областей, а также расстояния между коллекторами минимальны, так как не зависят от точности совмещения масок. Поликремниевый базовый электрод 4 контактирует с боковыми стенками базы и располагается на относительно толстом слое диоксида кремния 7, поэтому уменьшается барьерная емкость эмиттерного р - n перехода, увеличивается отношение суммарной площади коллекторных р-п переходов к площади базы и для переключательного транзистора обеспечиваются высокие коэффициенты передачи р п и граничная частота. [25]

Высокое быстродействие АВМ, простота программирования, ввода исходных данных и фиксации результатов позволяют сравнительно быстро получить большой объем информации о поведении системы при самых различных условиях ее работы. [26]

Схема выключателя переменного тока с задержкой момента отключения. [27]

Высокое быстродействие тринисторов и их способность выдерживать значительные кратковременные перегрузки по току позволяют создавать на основе этих приборов весьма эффективные электронные устройства защиты и блокировки для автоматического отключения нагрузки от источника питания. [28]

Высокое быстродействие регулятора и малый коэффициент усиления корректора обеспечивают устойчивость регулирования как на холостом ходу, так и при нагрузке, без дополнительных средств стабилизации. [29]

Высокое быстродействие ИС обеспечивается активным режимом работы транзисторов Tl, T2 и ТЗ. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5