Высокое быстродействие
Cтраница 4
Высокое быстродействие интегральных схем и большая плотность их компоновки и монтажа, с одной стороны, и наличие большого количества разнесенных на сравнительно значительные расстояния устройств - с другой, приводят к тому, что в системах, построенных на интегральных схемах, имеется значительный уровень помех, сравнимый с запасом помехоустойчивости самих схем. [46]
 |
Базовые схемы стандартной серии микросхем ТТЛ. [47] |
Высокое быстродействие микросхем ТТЛ при большой емкостной нагрузке объясняется тем, что как заряд, так н разряд нагрузочной емкости происходят через низкоомную выходную цепь. Однако при переключении выходных транзисторов есть момент, когда они оба открыты. Из-за этого в цепи питания схемы возникают кратковременные, но мощные импульсы тока, которые могут привести к появлению импульсов помехи. [48]
 |
Базовые схемы стандартной серии микросхем ТТЛ. [49] |
Высокое быстродействие микросхем ТТЛ при большой емкостной нагрузке объясняется тем, что как заряд, так и разряд нагрузочной емкости происходят через низкоомную выходную цепь. Однако при переключении выходных транзисторов есть момент, когда они оба открыты. Из-за этого в цепи питания схемы возникают кратковременные, но мощные импульсы тока, которые могут привести к по явлению импульсов помехи. [50]
Высокое быстродействие интегральных схем и большая плотность их компоновки и монтажа, с одной стороны, и наличие большого количества разнесенных на сравнительно значительные расстояния устройств - с другой, приводят к тому, что в системах, построенных на интегральных схемах, имеется значительный уровень помех, сравнимый с запасом помехоустойчивости самих схем. [51]
 |
Базовые схемы стандартной серии микросхем ТТЛ. [52] |
Высокое быстродействие микросхем ТТЛ при большой емкостной нагрузке объясняется тем, что как заряд, так и разряд нагрузочной емкости происходят через низкоомную выходную цепь. Однако при переключении выходных транзисторов есть момент, когда они оба открыты. Из-за этого в цепи питания схемы возникают кратковременные, но мощные импульсы тока, которые могут привести к по явлению импульсов помехи. [53]
Высокое быстродействие памяти Direct RDRAM достигается рядом особенностей, не встречающихся в других типах. [54]
Высокое быстродействие электронно-вычислительных машин позволяет применить их для расчета параметров кривых свободной поверхности потока в открытых руслах. [55]
Высокое быстродействие системы гармонического компаундирования позволяет использовать генераторы с данной системой в качестве источников питания импульсных нагрузок, а также при испытании коммутационной и защитной апаратуры. [56]
Высокое быстродействие пироэлектрических приемников излучения объясняется тем, что их чувствительность пропорциональна средней производной от температуры по времени, не зависящей от частоты в широких пределах в отличие от болометров и термоэлементов, чувствительность которых пропорциональна приращению температуры чувствительного слоя. [57]
Высокое быстродействие пироэлектрических приемников излучения объясняется тем, что их чувствительность пропорциональна средней производной от температуры по времени, независящей, в отличие от болометров и термоэлементов, от частоты в широких пределах. [58]
Необходимое высокое быстродействие системы управления в целом обеспечивается введением через усилитель с регулируемым коэффициентом усиления обратной связи по сигналу, пропорциональному скорости выходного элемента. [59]
Высокое быстродействие систем автоматического регулирования газового тракта цеха обычно исключает необходимость в изыскании дополнительных приемов коррекции динамических характеристик технологического тракта с помощью технологических и аппаратурных средств. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5