Построение - электронная оболочка
Cтраница 2
Такое разделение на три категории оправдывается - далее это будет показано - как разным характером построения электронной оболочки у атомов элементов разных категорий подгрупп, так и участием у них в реакциях электронов разных слоев оболочки. [16]
Вместе с тем было показано ( см. рис. 9 и 10), что в пределах каждого периода кривые ионизационных потенциалов, а также радиусов атомов имеют отклонения, обусловленные особенностями построения электронных оболочек атомов. Наиболее существенные отклонения наблюдаются у соединений элементов некоторых групп, а иногда у самих элементов, проявляющих свою максимальную валентность или на две единицы меньше максимальной. [17]
Десять d - элементов, - начиная со скандия и кончая цинком - принадлежат к переходным элементам. Особенность построения электронных оболочек этих элементов, по сравнению с предшествующими ( s - и / 7-элементами) заключается в том, что при переходе к каждому последующему d - элементу новый электрон появляется не во внешнем ( п 4), а во втором снаружи ( п 3) электронном слое. В связи с этим важно отметить, что химические свойства элементов в первую очередь определяются структурой внешнего электронного слоя их атомов и лишь в меньшей степени зависят от строения предшествующих ( внутренних) электронных слоев. У атомов всех переходных элементов внешний электронный слой образован двумя s - электронами; поэтому химические свойства d - элементов с увеличением атомного номера изменяются не так резко, как свойства s - и / 7-элементов. Все d - элементы принадлежат к металлам, тогда как заполнение внешнего р-подуровня приводит к переходу от металла к типичному неметаллу и, наконец, к благородному газу. [18]
Десять d - элементов, начиная со скандия и кончая цинком, принадлежат к переходным элементам. Особенность построения электронных оболочек этих элементов по сравнению с предшествующими ( s - и р-элементами) заключается в том, что при переходе к каждому последующему d - элементу новый электрон появляется не на внешней ( п 4), а на второй снаружи ( п 3) электронной оболочке. У атомов всех переходных элементов внешняя электронная оболочка образована двумя s - электронами. Существуют d - элементы ( например, хром, молибден, элементы подгруппы меди), у атомов которых во внешнем электронном слое имеется только один s - электрон. Причины этих отклонений от типичного порядка заполнения электронных энергетических подуровней рассмотрены в конце раздела. В связи с этим важно отметить, что химические свойства элементов в первую очередь определяются структурой внешней электронной оболочки их атомов и лишь в меньшей степени зависят от строения предшествующих ( внутренних) электронных оболочек. Поэтому химические свойства d - элементов с увеличением атомного номера изменяются не так резко, как свойства s - и р-элементов. Все d - элементы принадлежат к металлам, тогда как заполнение внешнего р-подуровня приводит к переходу от металла к типичному неметаллу и, наконец, к благородному газу. [19]
Десять d - элементов, - начиная со скандия и кончая цинком - принадлежат к переходным элементам. Особенность построения электронных оболочек этих элементов, по сравнению с предшествующими ( s - и р-элементами) заключается в том, что при переходе к каждому последующему d - элементу новый электрон появляется не во внешнем ( п 4), а во втором снаружи ( п 3) электронном слое. [20]
Десять d - элементов, - начиная со скандия и кончая цинком, - принадлежат к переходным элементам. Особенность построения электронных оболочек этих элементов, по сравнению с предшествующими ( s - и р-элементами) заключается в том, что при переходе к каждому последующему d - элементу новый электрон появляется не во внешнем ( и 4), а во втором снаружи ( п 3) электронном слое. [21]
Десять cf - элементов, - начиная со скандия и кончая цинком, - принадлежат к переходным элементам. Особенность построения электронных оболочек этих элементов, по сравнению с предшествующими ( s - и р-элементами) заключается в том, что при переходе к каждому последующему d - элементу новый электрон появляется не во внешнем ( п 4), а во втором снаружи ( п 3) электронном слое. [22]
Десять d - элементов, - начиная со скандия и кончая цинком, - принадлежат к переходным элементам. Особенность построения электронных оболочек этих элементов, по сравнению с предшествующими ( s - и р-элементами) заключается в том, что при переходе к каждому последующему d - элементу новый электрон появляется не во внешнем ( п 4), а во втором снаружи ( п 3) электронном слое. [23]
Десять d - элементов, - начиная со скандия и кончая цинком - принадлежат к переходным элементам. Особенность построения электронных оболочек этих элементов, по сравнению с предшествующими ( s - и р-элементами) заключается в том, что при переходе к каждому последующему с. [24]
Электронная оболочка какого-либо элемента периодической системы отличается от электронной оболочки предшествующего ему элемента тем, что на его внешней орбитали имеется один добавочный электрон ( стр. Этот принцип построения электронной оболочки не всегда соблюдается ( см. табл. 12, стр. У элемента с атомным номером Z 20 ( Са) заняты электронами все внутренние орбитали и 4х - орбитали, а у следующего за ним элемента с атомным номером 21 ( Sc) новый электрон находится не на 4р - орбитали, а на внутренней Sd-орбитали ( рис. 23, стр. [25]
 |
Таблиц 1. Библиографий 12. [26] |
Кратко описывается история открытия Периодического закона Д. И. Менделеева и развития учения об электронном строении атома. Анализируются закономерности построения электронной оболочки атома в связи с Периодической системой Д. И. Менделеева, исходя из квантовомеханических и статисти-ко-вероятностных представлений. [27]
Схема орбиталей ( рис. 23) показывает, что оболочки с п 1, 2, 3 и 4 содержат 1, 4, 9 и 16 орбиталей соответственно. Рассмотрим теперь принцип построения различных электронных оболочек, используя эту схему, а также таблицы, помещенные на стр. [28]
Ионная ( или гетерополярная) связь обусловливается отдачей одним атомом и приобретением другим атомом электронов, ионизацией атомов и наличием вследствие этого электростатического притяжения между различно заряженными ионами. Результатом такого взаимодействия является стремление к построению наиболее устойчивых электронных оболочек. В кристалле-каждый ион окружен более близко к нему расположенными ионами противоположного знака, вследствие чего притяжение преобладает над отталкиванием. Этим и объясняется общая связь частиц в кристалле. [29]
Из предыдущего ясно, что электроны играют решающую роль в образовании гомеополярной связи. Для более глубокого понимания необходимо кратко описать построение электронных оболочек. В принципе возможно как корпускулярное, так и волновое описание последних. [30]
Страницы: 1 2 3