Cтраница 2
Почему точность анализа повышается, если потенциалы ионизации элемента сравнения и определяемого элемента близки. [16]
Несмотря на то что по величинам потенциалов ионизации элементов II группы логично предположить возможность существования достаточно устойчивых соединений М - иона, это, однако, не так. Расчеты с использованием цикла Борна - Габера ( стр. [17]
Значения электроотрицательностей. [18] |
Подтверждением этих значений являются до некоторой степени яервые потенциалы ионизации элементов. Значения х, вычисленные из потенциалов ионизация для элементов переходных периодов ( с усредненным переходным множителем), лежат между 1 5 и 2 0 так же, как и термохимические значе-ия х имя этих элементов. [19]
В качестве иллюстрации в табл. 4.4 приведены значения первых трех потенциалов ионизации элементов первого переходного ряда. Эти элементы в соединения обычно входят в виде многозарядных ионов ( например, Fe3), что могло бы показаться удивительным, так как энергии, необходимые для образования таких ионов, очень велики. Однако значения, приведенные в табл. 4.4, относятся к энергии образования изолированных ионов в газовой фазе, в растворе они в значительной мере компенсируются энергией сольватации иона. [20]
Установлено, что наиболее сильное влияние на интенсивность спектральных линий оказывают потенциалы ионизации элементов. При малых расходах пробы наблюдается экстремальная зависимость интенсивности линий от концентрации щелочных элементов в растворе. [21]
Схематический вид неоднородного ( а, однородного ( б и вращающего ( в магнитных полей. [22] |
Из данных таблицы следует, что усиление спектральных линий элементов зависит от потенциала ионизации элемента для всех типов магнитного поля. Интенсивность спектральных линий микроэлементов может повышаться в результате пространственного изменения температуры и электронного давления плазмы, а также изменения распределения в ней микроэлементов. На рис. 2.23 приведено радиальное распределение температуры и электронного давления в горящей дуге и в дуге под давлением различных типов магнитного поля. [23]
Потенциалы ионизации атомов переходных элементов изменяются с изменением атомного номера гораздо медленее, чем потенциалы ионизации элементов главных подгрупп. Это обусловлено сильным экранированием потенциала ядра, действующего на один из flf - электронов, другими cf - электронами. [24]
Потенциалы ионизации атомов переходных элементов изменяются с изменением атомного номера гораздо медленее, чем потенциалы ионизации элементов главных подгрупп. Это обусловлено сильным экранированием потенциала ядра, действующего на один из d - электронов, другими d - электронами. [25]
Для дугового плазматрона ( см. 4.5.2) характерны гораздо меньшие значения т, чем для дуги; т не зависит ни от атомного веса, ни от потенциала ионизации элемента, а лишь от скорости потока газа. По-видимому, перенос частиц в плазменной струе осуществляется в основном этим направленным потоком. [26]
Из уравнений ( 51а) и ( 516) следует, что степень ионизации атомов элементов тем больше, чем выше температура Т плазмы, ниже электронная концентрация пе ( уменьшение пе в 10 раз равносильно увеличению Т на 700 - 900 К) и меньше потенциал ионизации Vi элемента. [27]
Из уравнений ( 51а) и ( 516) следует, что степень ионизации - атомов элементов тем больше, чем выше температура Т плазмы, ниже электронная концентрация пе ( уменьшение пе в 10 раз равносильно увеличению Т на 700 - 900 К) и меньше потенциал ионизации Fi элемента. [28]
Данные табл. 1 позволяют сделать ряд важных выводов. Во-первых, потенциалы ионизации элементов обладают свойством периодичности: они увеличиваются слева направо в периодах, уменьшаются сверху вниз в подгруппах, растут при переходе от а - к в-подгруппам в одном периоде. Поскольку энергия ионизации обратно пропорциональна размеру атома, все эти изменения ПИ можно объяснить закономерным периодическим изменением атомных радиусов элементов. [29]
При построении системы молекулярных орбиталей, образованных атомами разных элементов, следует пользоваться значениями их потенциалов ионизации / ( или ЭО) при размещении исходных атомных орбиталей на различных уровнях. Чем выше потенциалы ионизации элемента, тем относительно ниже энергетические уровни, соответствующие орбиталям атома. [30]