Потенциал - коллектор - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Вы молоды только раз, но незрелым можете оставаться вечно. Законы Мерфи (еще...)

Потенциал - коллектор - транзистор

Cтраница 2


16 Схема ФПИ с истоковым повторителем.| Схема ФПИ с диодными пе - [ IMAGE ] Схема ФПИ с транзисторным переключателями для стабилизации на - реклгочателем для стабилизации начального чального уровня ЛИН. уровня ЛИН. [16]

В исходном состоянии, когда потенциалы входа и выхода-усилителя близки к потенциалу корпуса, а потенциал коллектора транзистора положительный, диоды Д1 и Д2 открыты и протекающие через них токи определяют начальный уровень выходного напряжения интегратора. В режиме формирования пилообразного напряжения потенциал коллектора транзистора Т1, а следовательно, и анодов диодов Д1 и Д2 становится отрицательным, в результате чего диоды закрываются и не оказывают влияния на режим усилителя.  [17]

В обычном триггере с двумя сопротивлениями нагрузки изменяется лишь величина тока в этих сопротивлениях или потенциалы коллекторов транзисторов.  [18]

К началу этапа подготовки транзистор 7 выходит из насыщения, и на втором этапе уменьшается потенциал коллектора транзистора 7 и, следовательно, становится более отрицательным потенциал базы транзистора Tz. Этап подготовки заканчивается переходом транзистора Т 2 в активный режим.  [19]

Так как в этом случае напряжение на резисторе RKi будет больше напряжения на сопротивлении RK2, то потенциал коллектора транзистора Т ( точка / Ci) будет выше потенциала коллектора транзистора Т2 ( точка / С2), в результате чего на нагрузке R образуется выходное напряжение, равное разности потенциалов между точками К: и Kz - При подаче входных сигналов противоположной полярности потенциал точки К будет ниже потенциала ТОЧКИ К.  [20]

В случае, когда отсекающий диод отсутствует, из-за действия теплового тока / ( 0 нестабильным оказывается потенциал коллектора транзистора, что эквивалентно обычно достаточно малой нестабильности питающего напряжения.  [21]

Когда на входе релейного элемента сигнал ниже предела срабатывания, то транзистор Тг-4 заперт ( закрыт), а потенциал коллектора транзистора 7 4 близок по значению к напряжению питания - 12В п транзистор T - i находится в открытом состоянии.  [22]

23 Принципиальная схема. [23]

В этот момент конденсатор С4 разрядится через промежуток эмиттер - коллектор транзистора - VT1, через транзистор пройдет ток и потенциал коллектора транзистора VT2 увеличится на какое-то значение.  [24]

Как и в случае четырехплечевого моста ( см. рис. 2.24), в отсутствие сигнала напряжение на выходе равно нулю, так как токи и потенциалы коллекторов транзисторов Т и Т2 равны. Поскольку схема симметрична, всякое изменение характеристик транзисторов ( за счет изменения температуры или из-за старения) вызовет одинаковое изменение токов в обоих плечах, поэтому разбаланса схемы не произойдет и дрейф выходного напряжения будет практически равен нулю.  [25]

Как и в случае четырехплечего моста ( см. рис. 18.24), в отсутствие сигнала напряжение на выходе ивых12 равно нулю, так как токи и потенциалы коллекторов транзисторов Т1 и Т2 равны. Поскольку схема симметрична, всякое изменение характеристик транзисторов ( за счет изменения температуры или из-за старения) вызовет одинаковое изменение токов в обоих плечах, поэтому разбаланса схемы не произойдет и дрейф выходного напряжения будет практически равен нулю.  [26]

Так как в этом случае напряжение на резисторе RKi будет больше напряжения на сопротивлении RK2, то потенциал коллектора транзистора Т ( точка / Ci) будет выше потенциала коллектора транзистора Т2 ( точка / С2), в результате чего на нагрузке R образуется выходное напряжение, равное разности потенциалов между точками К: и Kz - При подаче входных сигналов противоположной полярности потенциал точки К будет ниже потенциала ТОЧКИ К.  [27]

Сигнал на одном переходе база - эмиттер складывается с напряжением 1 / б-э А, а на другом - из него вычитается, что в силу симметрии вызывает приращения токов и потенциалов коллекторов транзисторов 77 и Т2 противоположных знаков.  [28]

Внутреннее сопротивление транзистора увеличивается, ток в цепи и падение напряжения на сопротивлении стабилитрона Zd2 и транзистора Т4 увеличиваются. Потенциал коллектора транзистора Т4 и базы транзистора ТЗ становится более отрицательным и несколько больше открывает транзистор ТЗ.  [29]

Автосторож работает следующим образом. Потенциал коллектора транзистора V2 становится близким к нулю. Диод V4 при этом заперт, а конденсаторы С1 и С2 разряжены. Триггер на транзисторах V8, V9, находится в первом устойчивом состоянии, когда транзисторы закрыты. Высокий потенциал с коллектора транзистора V9 через резистор R13 поступает на базу транзистора V10 и открывает его.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5