Потенциал - коллектор - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Ценный совет: НИКОГДА не разворачивайте подарок сразу, а дождитесь ухода гостей. Если развернете его при гостях, то никому из присутствующих его уже не подаришь... Законы Мерфи (еще...)

Потенциал - коллектор - транзистор

Cтраница 3


31 Простейшая схема стабилизатора напряжения с обратной связью. [31]

Потенциал коллектора Ui32 транзистора Т2, равный потенциалу базы f / aoi транзистора Т, становится более положительным, и ток базы / 01 снижается. Это приводит к уменьшению тока коллектора / к: транзистора Гь приблизительно равного току нагрузки, до такой величины, при которой напряжение ивых становится приблизительно равным прежнему значению.  [32]

С образованием этой цепи в базу транзистора ППЗ ( КУ) через резистор R7 также поступает ток смешения, который открывает транзистор ППЗ. Потенциал коллектора транзистора ППЗ мал и поэтому транзисторы ПП2 - ПП1 ( КУ) тиристора закрыты.  [33]

Для получения нужного прямого смещения во входной цепи транзистора Т2 его эмиттер присоединен к положительному выводу источника. Следовательно, потенциал коллектора транзистора Tj и базы Т2 отрицателен относительно положительного вывода источника. Таким образом, обеспечивается требуемое обратное смещение коллекторного перехода р-п - р-транзистора.  [34]

35 Схема ФПИ с истоковым повторителем.| Схема ФПИ с диодными пе - [ IMAGE ] Схема ФПИ с транзисторным переключателями для стабилизации на - реклгочателем для стабилизации начального чального уровня ЛИН. уровня ЛИН. [35]

В исходном состоянии, когда потенциалы входа и выхода-усилителя близки к потенциалу корпуса, а потенциал коллектора транзистора положительный, диоды Д1 и Д2 открыты и протекающие через них токи определяют начальный уровень выходного напряжения интегратора. В режиме формирования пилообразного напряжения потенциал коллектора транзистора Т1, а следовательно, и анодов диодов Д1 и Д2 становится отрицательным, в результате чего диоды закрываются и не оказывают влияния на режим усилителя.  [36]

В аварийном режиме схема на транзисторе VT2 защищает выходной транзистор VT4, VT5 регулятора от перегрузки. Замыкание вывода Ш на массу вызывает понижение потенциала коллектора транзистора VT5 и, если транзистор в момент замыкания был открыт, рост напряжения на его переходе эмиттер - коллектор с переходом транзистора в линейный режим. Конденсатор С2, быстро разрядившись через резистор Rll, диод VD2 и переход эмиттер - коллектор транзистора VT5, вновь начинает заряжаться через базовую цепь транзистора VT2, который при этом открывается. Процесс повторяется, а выходной транзистор переходит в автоколебательный режим. При этом средняя сила тока, проходящего через транзистор, невелика и не может вывести его из строя. Диод VD3 является в схеме регулятора гасящим диодом. Диод VD4 защищает регулятор от импульсов напряжения обратной полярности. Остальные элементы схемы обеспечивают нужный режим работы полупроводниковых элементов схемы.  [37]

38 Схема регулятора напряжения 2. [38]

В аварийном режиме схема на транзисторе VT2 осуществляет защиту выходного составного транзистора VT4, VT5 регулятора от перегрузки. В результате замыкания вывода Ш на массу понижается потенциал коллектора транзистора VT5 и, если транзистор в момент замыкания открыт, то он начинает - работать в линейном режиме. Процесс повторяется, а выходной транзистор переходит в автоколебательный режим. Средняя сила тока через транзистор невелика и не может влиять на его отказ. Диод VD3 является в схеме регулятора гасящим диодом. Диод VD4 защищает регулятор от импульсов напряжения обратной полярности. Остальные элементы схемы обеспечивают нужный режим работы полупроводниковых элементов схемы.  [39]

40 Схема фантастрона с времязадающим мостовым элементом. [40]

В исходном состоянии транзисторы 7 и Т3 открыты, транзистор Т3 закрыт. При подаче запускающего импульса транзистор Т3 из-за понижения потенциала коллектора транзистора 7 запирается, а Г4 - отпирается. Конденсаторы моста начинают заряжаться, а конденсатор С - разряжаться.  [41]

42 Входная характеристика биполярного транзистора. [42]

При увеличении напряжения источника сигнала ЕС транзистор сначала переходит в активный режим. При этом базовый и коллекторный токи увеличиваются с ростом ЕС, а потенциал коллектора транзистора уменьшается.  [43]

Как только напряжение на конденсаторе С2 достигнет значения Еэ напряжение Оэ2 между базой и эмиттером транзистора Т2 становится - равным нулю, Tz начинает запираться, вызывая процесс обратного опрокидывания. При этом 7 выходит из насыщения и также запирается, так как потенциалы коллектора транзистора Т2 и соединенной с ним через резистор oi базы транзистора 7 падают до величины, равной приблизительно - Екъ.  [44]

Теперь после закрывания транзистора Т2 перезарядки конденсатора Сбо не происходит, а потенциал коллектора транзистора Т24 оказывается недостаточным для его открывания и это состояние становится устойчивым. Поступающий с усилителя синхронизации на базу транзистора Т24 положительный перепад напряжений вызывает отрицательный бросок напряжения на его коллекторе и открывает транзистор Г25; происходит процесс однократного формирования прямого хода развертки.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5