Потенциал - база
Cтраница 1
Потенциал базы не может стать существенно отрицательным, так как появляющийся при этом базовый ток протекает через соответствующий диод в обратном направлении и быстро его запирает. [1]
Потенциал базы этого транзистора остается постоянным, так как он определяется делителем напряжения Rla, Ru - Поэтому разность потенциалов база - эмиттер транзистора Tt снижается, что приводит к уменьшению тока коллектора транзистора Ту а следовательно, к уменьшению его коэффициента усиления. [2]
 |
Логическая схема НЕ с биполярным транзистором. [3] |
Потенциал базы может быть высоким или низким, и это приводит к тому, что коллекторная цепь становится запертой или токопроводя-щей, о чем мы говорили в предыдущей главе. На схеме НЕ, изображенной, например, на рис. 23, входным является напряжение х в базовой цепи. Если к базе приложено положительное напряжение, то транзистор открыт. [4]
Потенциалы баз транзистор о-в TI и Tz положительны относительно их эмиттеров. В разряде-конденсатора также участвует и небольшой обратный ток базы транзистора TI. С течением времени ъ результате процесса разряда конденсатора напряжение база - эмиттер транзистора 7 понижается. [5]
Потенциал базы в схеме включения транзистора с общим эмиттером ( ОЭ) должен быть отрицательным по отношению к эмиттеру. Транзисторы с п-р - п структурой должны иметь положительный потенциал на коллекторе и базе по отношению к эмиттеру. Потенциал базы в схеме включения с ОЭ для этого типа транзисторов должен быть положительный. [6]
Потенциал базы отрицателен по отношению к эмиттеру, и только небольшая часть напряжения источника питания А ( УКЭ приложена к транзистору. [7]
Потенциал базы не может стать существенно отрицательным, так как появляющийся при этом базовый ток протекает через соответствующий диод в обратном направлении и быстро его запирает. [8]
Потенциал базы закрытого транзистора Т равен t / б закМвх1 кнм 0 4 В, где ( УКнм02 В-напряжение между коллектором и эмиттером / мяогоэмиттерного транзистора МТ; очевидно, что U n MnH t / nop - Убзак 0 2 В. [9]
 |
Дифференциальный усилитель с комплементарной каскодной схемой. [10] |
Потенциал базы VB второго каскада определяет потенциал коллекторов входного дифференциального усилителя в соответствии с соотношением 7С1 VB 0 7 В. [11]
С потенциал базы, изменяясь монотонно, достигает напряжения отпирания транзистора и в схеме автоматически возобновляется новый цикл формирования выходного импульса. [12]
В результате потенциалы базы и эмиттера транзистора VT2 будут равны. На выходе установится напряжение, равное напряжению питания. [13]
С уменьшением потенциала базы ток эмиттера существенно увеличивается и меняет знак, а ток базы вначале остается практически неизменным. [14]
В этом случае потенциал базы должен быть смещен на величину If2R2 в положительную сторону относительно шины - EI. Под влиянием неуправляемого коллекторного тока триода Т1 величина смещения увеличивается и достигает ( 62 Aoi) Яа - Можно заключить, что триод Г2 в открытом состоянии всегда работает в ненасыщенном режиме, так как напряжение коллектор - эмиттер составляет немалую величину Ук ( / б8 / к01) Я2 1 /, где Vf2 0 2 - - 0 4 б - напряжение на базе относительно эмиттера. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5