Потенциал - база
Cтраница 2
Транзистор Т2, потенциал базы которого при любом положении движка ( точка б) потенциометра R12 ниже потенциала эмиттера, закрыт. [16]
В этом случае потенциал базы другого транзистора фиксируется. [17]
 |
К объяснению влияния температуры на коллекторные характеристики транзистора.| Усилительный каскад с эмиттерной температурной стабилизацией. [18] |
Это вызывает снижение потенциала базы по отношению к потенциалу эмиттера [ см. формулу (5.15) ], а следовательно, уменьшение токов / 8 и / к. Ясно, что уменьшение коллекторного тока за счет действия резистора Ra не может полностью скомпенсировать рост его за счет повышения температуры, но влияние температуры на ток / к при этом во много раз снижается. [19]
По тем же причинам потенциалы баз в режиме покоя необходимо выравнивать, в противном случае один из транзисторов окажется запертым. [20]
По мере его разряда потенциал базы TZ растет и в тот момент времени, когда он станет примерно равным U3i, произойдет обратный скачок и транзистор Т2 откроется. [21]
Для этого оценим зависимость потенциала базы запертого транзистора и тока базы насыщенного транзистора от числа единичных входов тг ячейки. [22]
 |
Модификации каскодных усилителей. [23] |
В последнем случае желательно стабилизировать потенциал базы Т2, например, с помощью стабилитрона Cm, так как изменения базового тока могут создать ощутимые приращения напряжения на потенциометре Rlt R2, а следовательно, коллекторный ток Т2 также изменится. [24]
 |
Принципиальная схема блока БА-10 телевизора сЭлектроника Ц-431 Д. [25] |
По мере заряда конденсатора С21 потенциал базы VT6 повышается, и при некотором его значении транзистор открывается, триггер переходит в другое устойчивое состояние. [26]
См, к которому стремится потенциал базы закрытого транзистора. [27]
Таким образом, изменяя величину потенциала базы Б по отношению к потенциалу эмиттера Э, можно регулировать величину тока по цепи эмиттер - коллектор от малого значения тока покоя до предельной величины тока насыщения. Транзистор работает как усилитель подобно тому, как работает электронная лампа с управляющей сеткой. Отсутствие нитей накала и меньшие размеры являются существенным преимуществом полупроводникового усилителя. [28]
При воздействии дифференциального сигнала возрастание потенциала базы одного транзистора сопровождается одновременным уменьшением потенциала базы другого транзистора и наоборот. [29]
 |
Эквивалентная схема каскада 3 ( а и каскада 5 ( б, изображенных на. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5