Потенциал - база - транзистор
Cтраница 3
С наступлением сумерек под влиянием фотоэлемента F потенциал базы транзисторов Tl, T2 возрастает, в результате они открываются. Коллекторное напряжение транзистора Т2 в это время уменьшается, вследствие чего транзистор ТЗ закрывается. Кремниевый диод D2 в эмиттерной цепи транзистора ТЗ служит для уменьшения гистерезиса триггера Шмитта. [31]
 |
Схема ( а и временная диаграмма ( б работы логического элемента НЕ на транзисторном ключе. [32] |
Проходя через базовый резистор R6, это напряжение понижает потенциал базы транзистора до такого уровня, при котором транзистор полностью открывается. [33]
 |
Устройство простого светодатчика. [34] |
Когда фотодиод освещен, его сопротивление минимально, следовательно, потенциал базы транзистора Т1 низкий. [35]
 |
Структурная схема генератора МПН с высокой линейностью. [36] |
Одновременно с зарядом конденсатора С8 заряжается конденсатор Сд и повышается потенциал базы транзистора Ts. По достижении им некоторого уровня транзистор запирается, и триггер, собранный на транзисторах Т3 и 7, опрокидывается. [37]
Спустя время t2 - tb равное времени длительности импульса гп1, потенциал базы транзистора 7 2 станет равен примерно нулю. [38]
В схеме рис. 74 входной сигнал подан на базу транзистора 7, потенциал базы транзистора Тя постоянный. Резистор R r, сопротивление которого равно внутреннему сопротивлению источника сигнала Rrt включен для симметрии схемы. [39]
Характерной особенностью стабилизации режима работы схем последовательного питания является необходимость обеспечения постоянства потенциалов баз транзисторов. В противном случае вследствие большого динамического сопротивления со стороны коллектора транзистора Т даже небольшие изменения коллекторного тока приведут к резкому перераспределению напряжения питания, в результате чего один из транзисторов может перейти в режим насыщения. Поясним это с помощью рис. 2.22, на котором показаны статические характеристики включенных последовательно транзисторов. [40]
Ухудшением эффективности действия схемы стабилизации режима работы, что обусловлено уменьшением стабильности потенциала базы транзистора. В результате того, что при малых коллекторных токах уменьшается входная проводимость транзистора, для устранения влияния цепи смещения на показатели усилителя приходится увеличивать ее приведенное сопротивление и базовый делитель становится высокоомным. При этом фиксация потенциала базы ухудшается и эффективность стабилизации режима работы транзистора падает. [41]
При понижении напряжения сети соответственно меньше становится напряжение на обмотке трансформатора Т1 и потенциал базы транзистора VT1 по отношению к эмиттеру. Теперь из-за уменьшения напряжения, создаваемого коллекторным током транзистора VT1 на резисторе R10, тиристор VS1 открывается в более позднее время и количество энергии, передаваемой во вторичные цепи, возрастает. При этом устройство стабилизации и защиты не работает и создается возможность перегрева транзистора VT4 из-за перегрузки. Чтобы предотвратить выход из строя транзистора VT4, необходимо прекратить работу блокинг-генератора. Так как напряжение на эмиттере стабилизировано, уменьшение напряжения на базе приводит к открыванию транзистора. [42]
Усилитель рассчитывают таким образом, что в отсутствие входного сигнала ( ивх-0) потенциал базы транзистора Фб0 и потенциал эмиттера фэ-0 5 В. [43]
Переменная составляющая выпрямленного напряжения через емкость Ci поступает на сопротивление Rs, изменяя потенциал базы транзистора в фазе с входным напряжением. Это изменяет сопротивление транзистора и л временную составляющую тока через него и в гасящем сопротивлении Rt, вследствие чего меняется падение напряжения на нем от переменной составляющей тока. Так, яри положительной полуволне пульсации напряжения на в-ходе фильтра повышается потенциал базы транзистора и увеличивается переменная составляющая тока транзистора / - При этом падение напряжения на сопротивлении Hi возрастает на величину / - Ri, компенсируя пульсацию напряжения на входе фильтра, так что на выходе фильтра пульсация напряжения окажется незначительной. [44]
Переменная составляющая выпрямленного напряжения через конденсатор С подается на резистор R, изменяя потенциал базы транзистора в фазе с изменением входного напряжения. Это приводит к изменению сопротивления транзистора и переменной составляющей тока через него и в гасящем резисторе Ri, вследствие чего меняется падение напряжения на нем от переменной составляющей тока. Так, при положительной полуволне пульсации напряжения на входе фильтра повышается потенциал базы транзистора и увеличивается переменная составляющая тока транзистора. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5