Потенциал - база - транзистор
Cтраница 5
Работа этой термокомпенсационной схемы происходит следующим образом. Потенциал базы транзистора 775почти не зависит от изменения окружающей температуры и равен половине напряжения источника питания. Кроме того, напряжение коллектор - эмиттер транзистора Т11 мало и поэтому его ток коллектора можно считать но зависящим от изменений окружающей температуры. При увеличении этой температуры или при нагреве оконечных транзисторов вследствие перегрузки коэффициент усиления по току транзистора Т11, расположенного в непосредственной близости от оконечных транзисторов, увеличивается, ток базы соответственно уменьшается п, следовательно, уменьшается напряжение смещения оконечных транзисторов, стабилизируя их ток покоя. [61]
 |
Схемы подачи запускающего импульса. [62] |
Пусть в исходном состоянии транзистор Гй открыт ( насыщен), а Tz - закрыт. Потенциал базы транзистора Т2 относительно его эмиттера при этом равен напряжению смещения Е & а транзистора T. [63]
 |
Схема ДТЛ-элемента И НЕ с простым инвертором.| Схема ТТЛ-элемента И - НЕ с простым инвертором. [64] |
Потенциал базы транзистора в этом случае ниже потенциала точки А на сумму прямых напряжений диодов Д5, Дв и достаточен для запирания транзистора. Действительно, при сигнале О на всех входах все диоды открыты, потенциал точки А близок к нулю. [65]
Страницы: 1 2 3 4 5