Потенциал - переход - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
"Имидж - ничто, жажда - все!" - оправдывался Братец Иванушка, нервно цокая копытцем. Законы Мерфи (еще...)

Потенциал - переход

Cтраница 3


К Л / Э и определяется экстракцией избыточных дырок из базы в коллектор ускоряющим полем контактной разности потенциалов перехода коллектор-база.  [31]

Иногда потенциалы перехода из одного состояния в другое и обратно не вполне точно совпадают, и обычно за основу принимают потенциал перехода металла от пассивного состояния к активному. Часто этот потенциал носит название Фладе-потенциала.  [32]

33 Формальные окислительно-восстановительные потенциалы, в. [33]

Используемые в процессах разделения растворы, содержащие U6 и Ри3 или Ри4, устойчивы по отношению к окислению плутония ураном, так как потенциалы перехода U4 в U6 и U5 в U6 более близки к положительным, чем потенциалы плутония. Путем подбора соответствующего восстановителя плутоний можно восстановить от Ри4 до Ри3, не изменяя окислительного состояния урана.  [34]

В растворах азотной кислоты более высоких концентраций ( 58 %), коррозионное поведение сталей в отсутствии ионов-активаторов в первую очередь определяется значением потенциалов перехода в состояние перепассивации, так как катодная поляризация осуществляется окислительно-восстановительным процессом при достаточно положительных потенциалах.  [35]

Общее правило состоит в том, что вещество неустойчиво в отношении диспропорционирования, если потенциал перехода в высшее состояние окисления более положителен, чем потенциал перехода из низшего состояния окисления.  [36]

37 Зависимость шумовых параметров полевых транзисторов от. [37]

Влияние температуры окружающей среды на характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим р - - переходом объясняется изменениями скорости генерации неосновных носителей в области пространственного заряда, удельного сопротивления канала, величины барьерного потенциала перехода затвор - капал.  [38]

39 Теплота испарения, температура плавления, атомные объемы и кристаллические структуры актинидных элементов. гцк - гранепентрированная кубическая. оцк-объемноцентрированная кубическая. гекс-гексагональная. ромб-ромбическая. гпу-гексагональная с плотной упаковкой. гцпгепгр-гранецентрированвая тетрагональная. гц орто-гранецентрированная ортомбическая. тетр-тетрагональная. орто-ортомбическая. оц тетр-объемноцентрированная тетрагональная. дв. гекс-двойная гексагональная. п-приблизительная оценка. та-термический анализ. [39]

Все известные актинидные элементы представляют собой сильно электроположительные металлы, являясь в этом отношении аналогами лантанидных металлов. Потенциалы перехода М ( Крист) - - М ( Водн), которые для каждого из элементов приводились в соответствующих главах, сведены в табл. 11.2. В табл. 11.3 представлены данные по кристаллической структуре, температуре плавления, теплоте испарения и температуре кипения актинидов.  [40]

Комплекс железа ( III) имеет бледно-голубой цвет; в результате восстановления его окраска из почти бесцветной переходит в красную. Потенциал перехода окраски составляет приблизительно 1 11 В в 1 М серной кислоте.  [41]

Середина интервала потенциалов перехода окраски индикатора соответствует значению стандартного потенциала Е ш / lndBc индикатора.  [42]

Были изучены индикаторные свойства комплексов ряда производных 1 10-фенантролина и установлено, что некоторые из них обладают такими же хорошими свойствами, как и исходное соединение. Среди них заслуживают внимания 5-нитро - и 5-метилпроиз-водные с потенциалами перехода окраски 1 25 и 1 02 В соответственно.  [43]

В кислых растворах могут существовать в равновесии ионы плутония всех степеней окисления в заметных концентрациях. Некоторые из них подвергаются реакциям диспропорционирования, что обусловлено близостью потенциалов перехода плутония из одной степени окисления в другую и особенностями строения его электронной оболочки: наличие незаполненных 5 / - орбит дает возможность акцептирования электронов от одного иона плутония к другому по донорно-акцепторному механизму.  [44]

45 Зависимость напряжения отсечки МДП-транзистора типа. [45]



Страницы:      1    2    3    4