Обратный потенциал
Cтраница 1
Обратный потенциал на диодах двухполупериодного выпрямителя всегда равен удвоенному значению максимальной величины напряжения 2 на половине обмотки трансформатора. [2]
Транзистор Тц закрыт обратным потенциалом - - Un. На подложку подается максимальный отрицательный потенциал. Транзисторы Т1 - ТЗ при закрытых транзисторах Т1 - ТЗ закрыты; при переходе последних в режим насыщения первые понижают уровень нулевого сигнала на выходе схемы за счет связи коллектора с подложкой через открытый паразитный транзистор. [3]
 |
Характеристики точечноконгакгного диода. [4] |
Если к контакту приложен обратный потенциал, характеристика имеет форму, изображенную налево от ординаты. При чрезмерно высоком обратном потенциале будет получаться пробой, который происходит из-за протекания большого тока в обратном направлении. [5]
Следовательно, в момент подачи обратного потенциала протекает значительный обратный ток. Непосредственно вслед за приложением обратного потенциала обратное сопротивление диода экспоненциально увеличивается со временем, я большой обратный ток уменьшается со временем до счень малой величины, определяемой статическим высоким обратным сопротивлением диода. В общем случае указанная характеристика не вызывает ограничений в применении диодов точечно-контактного типа, так как время восстановления обратного сопротивления ( восстановление на 90 %) составляет обычно лишь небольшую долю микросекунды. Однако имеется строгое ограничение в применении плоскостных диодов, так как время восстановления обратного сопротивления может доставлять несколько микросекунд. Большинство кремниевых диодов, применяемых в электронных схемах с низким уровнем сигнала, относится к плоскостному типу, а германиевые диоды аналогичного применения относятся t точечно-контактному типу. Поэтому вопросы, юзникающие при расчете времени восстановления обратного сопротивления диода, обычно связаны с применением кремниевых диодов. Обычно постоянная времени соответствует времени, требуемому для достижения обратным сопротивлением диода величины 50 000 ом. Если сопротивление внешней цепи диода мало по сравнению с величиной 50 000 ом, го эффективная постоянная времени цепи будет значительно меньше постоянной времени восстановления обратного сопротивления диода. Эту особенность следует учитывать, когда сигнал содержит частотные составляющие порядка от 1 / Т до 10 / Г или выше. Для кремниевых плоскостных диодов существует дополнительное ограничение. Эффективное напряжение, при кото - юм возбуждается проводимость в прямом направлении, больше изменяется с температурой для кремниевых плоскостных диодов, чем для германиевых точечно-контактных диодов. Это имеет особенно важное значение в случае применения диода в режиме малых сигналов. [6]
 |
Схемы, поясняющие работу плоскостного. [7] |
Для прямого напряжения, вызывающего большой прямой ток, обратный потенциал через переход почти полностью уничтожается. [8]
 |
Распределение потенциала в трехэлектродной лампе с плоскими электродами ( Vc - потенциал сетки, uc Vc. [9] |
К достоинствам электровакуумных приборов следует отнести чрезвычайно высокое сопротивление при обратных потенциалах и большую легкость управления током в триоде по сравнению с биполярным транзистором. Последнее достоинство ламп, правда, исчезает при сравнении их с полевыми транзисторами. [10]
 |
Построение характеристики передачи огра. [11] |
Применение в параллельной схеме диодов с малым напряжением пробоя при обратном потенциале - полупроводниковых стабилитронов ( см. § 4.2) - позволяет осуществить двустороннее ограничение сигнала. Такг: я схема представлена на рис. 8.5, в. [12]
Найти частоту света, вырывающего с поверх ности металла электроны, полностью задерживающиеся обратным потенциалом в 3 в. [13]
 |
Характеристики точечноконгакгного диода. [14] |
Если к контакту приложен обратный потенциал, характеристика имеет форму, изображенную налево от ординаты. При чрезмерно высоком обратном потенциале будет получаться пробой, который происходит из-за протекания большого тока в обратном направлении. [15]
Страницы: 1 2 3