Обратный потенциал

Cтраница 2

Схематические изображения переключающих полупроводниковых приборов. [16]

Еще одно название тиристоров - транзистор с коллекторной ловушкой - происходит из рассмотрения принципа действия прибора. В области обратных потенциалов ( области 4 относительно области /, см. рис. 421) тиристоры ведут себя так же, как обычные полупроводниковые диоды при обратных потенциалах, и характеризуются максимальным обратным напряжением п, обр и величиной обратного тока / сср. [17]

При больших значениях обратного потенциала наблюдается резкое возрастание тока - происходит электрический пробой р - - перехода. Причинами пробоя могут быть различные физические явления, основными из которых являются: туннельный эффект, ударная ионизация и тепловой пробой. Туннельный эффект состоит в просачивании электронов через потенциальный барьер, существующий в запорном слое р - - перехода. Вероятность такого просачивания тем больше, чем тоньше запорный слой и чем больше электрическое поле, действующее в слое. Физически эффект состоит в образовании пар электрон - дырка под действием сильного электрического поля в области запорного слоя. Образовавшиеся носители заряда - электроны, вырванные из валентных связей электрическим полем, и возникшие при этом дырки резко увеличивают ток через р - n - переход. Ударная ионизация в полупроводнике возникает в результате того, что под действием электрического поля в запорном слое неосновные носители ускоряются до энергии, достаточной для ионизации атомов кристаллической решетки. Образовавшийся при этом парный заряд также увеличивает ток через переход. [18]

Следовательно, в момент подачи обратного потенциала протекает значительный обратный ток. Непосредственно вслед за приложением обратного потенциала обратное сопротивление диода экспоненциально увеличивается со временем, я большой обратный ток уменьшается со временем до счень малой величины, определяемой статическим высоким обратным сопротивлением диода. В общем случае указанная характеристика не вызывает ограничений в применении диодов точечно-контактного типа, так как время восстановления обратного сопротивления ( восстановление на 90 %) составляет обычно лишь небольшую долю микросекунды. Однако имеется строгое ограничение в применении плоскостных диодов, так как время восстановления обратного сопротивления может доставлять несколько микросекунд. Большинство кремниевых диодов, применяемых в электронных схемах с низким уровнем сигнала, относится к плоскостному типу, а германиевые диоды аналогичного применения относятся t точечно-контактному типу. Поэтому вопросы, юзникающие при расчете времени восстановления обратного сопротивления диода, обычно связаны с применением кремниевых диодов. Обычно постоянная времени соответствует времени, требуемому для достижения обратным сопротивлением диода величины 50 000 ом. Если сопротивление внешней цепи диода мало по сравнению с величиной 50 000 ом, го эффективная постоянная времени цепи будет значительно меньше постоянной времени восстановления обратного сопротивления диода. Эту особенность следует учитывать, когда сигнал содержит частотные составляющие порядка от 1 / Т до 10 / Г или выше. Для кремниевых плоскостных диодов существует дополнительное ограничение. Эффективное напряжение, при кото - юм возбуждается проводимость в прямом направлении, больше изменяется с температурой для кремниевых плоскостных диодов, чем для германиевых точечно-контактных диодов. Это имеет особенно важное значение в случае применения диода в режиме малых сигналов. [19]

Зависимости глубины каверны о ( и скорости коррозии V ( t от времени протекания процесса. [20]

Анализ зависимостей показывает, что коррозия металлов в отсутствии побочных воздействий носит затухающий характер. Это объясняется образованием поляризационного слоя с обратным потенциалом на границе контакта коррозионной пары. [21]

В течение этой стадии на одном из электродов в области максимальных градиентов электрического поля появляются светящиеся ветви, перемещающиеся к противоположному электроду со скоростями примерно 106 - 107 см / сек. После замыкания ветвями обоих электродов и прохождения волны обратного потенциала образуется тонкий шнур проводящего канала. [22]

Красная граница фотоэффекта для некоторого металла равна 0 5 мкм. При какой частоте света оторвавшиеся с его поверхности электроны полностью задерживаются обратным потенциалом в 3 0 В. [23]

Характеристика емкости варикапа. [25]

Двухполюсниками с нелинейной характеристикой, которые могут использоваться в параметрических системах, являются различные полупроводниковые и электровакуумные приборы. Среди них следует назвать, прежде всего, полупроводниковые диоды, которые в области прямого тока имеют характеристику, близкую к квадратичной ( см. гл. У всякого полупроводникового диода р - - переход при обратном потенциале на диоде обладает некоторой емкостью, величина которой зависит от площади перехода и от толщины запорного слоя. При изменении обратной разности потенциалов на диоде толщина запорного слоя меняется и, следовательно, изменяется величина емкости. Варикапы - диоды специальной конструкции, обладающие большой емкостью, величина которой изменяется в несколько раз при изменении обратного потенциала в допустимых пределах. [26]

Выделяющийся на катоде аммиак образует с ионами цинка, возникающими на аноде, комплексный ион Zn ( NH3), и элемент может действовать до тех пор, пока не израсходуется один из реагентов. Обычно цинковую оболочку элемента делают достаточно толстой, чтобы предотвратить вытекание из нее электролита. Казалось бы, при нагревании сухого элемента или выдерживании его некоторое время в разомкнутом состоянии произойдет его регенерация, однако таким путем достигается лишь диффузия продуктов реакции от электродов, где повышение их концентрации приводит к перенапряжению, или возникновению обратного потенциала, который препятствует протеканию прямой реакции. Таким образом, сухой элемент невозможно регенерировать или перезарядить, и поэтому его называют первичным элементом. [27]

Двухбазовые диоды - неудачное название приборов, представляющих собой полевые транзисторы с р - n - переходом, в которых на затвор подается напряжение, создающее ток в прямом направлении. В основание прибора инжектируются неосновные носители, которые благодаря выбору веществ и подбору количества примесей имеют значительно большую подвижность, чем основные, и это приводит к резкому увеличению проводимости основания. Изменение гроводимости за счет инжектировалных неосновных носителей заряда может быть сделано очень большим, так что процесс нарастания тока в основании носит лавинный характер. Чаще двухбазовые диоды включаются при запирающем потенциале на затворе, но при обратном потенциале стока. При повышении потенциала стока сверх некоторого предельного р - - переход открывается и процессы в приборе развиваются так, как это было описано выше. [28]

Характеристика емкости варикапа. [29]

Страницы: 1 2 3