Искомый потенциал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Опыт - это замечательная штука, которая позволяет нам узнавать ошибку, когда мы опять совершили ее. Законы Мерфи (еще...)

Искомый потенциал

Cтраница 3


31 Глубина потенциальной ямы и положение минимума потенциалов взаимодействия щелочных металлов е ртутью, восстановленных по модифицированной процедуре Фирсоиа. [31]

Использование квазиклассического приближения и метода экспоненциальных искаженных волн позволяет выразить элементы матрицы рассеяния непосредственно через измеряемые сечения. Далее находится искомый потенциал. При этом изотропная часть потенциала F0 ( r) определяется полным дифференциальным сечением, анизотропная F2 ( г) - отношением неупругого дифференциального сечения к упругому.  [32]

Когда среда внутри областей Vk является проводящей ( eft оо), то пользоваться системой интегральных уравнений (1.135), полагая в ней K k 1, вообще говоря, нельзя. Однако такое представление искомого потенциала несправедливо для проводящей внутри областей Vk среды. В самом деле, согласно выражению (1.127), поле создано объ-емнораспределенными зарядами вне проводников и двойными слоями на их поверхностях Sk. Поэтому поток вектора смещения сквозь любую замкнутую поверхность, охватывающую произвольно выбранный & - й проводник, но не охватывающую каких-либо объемных зарядов ( рис. 12), по теореме Гаусса равен нулю. Однако это не соответствует действительному полю смещения, для которого этот поток по той же теореме Гаусса равен заряду qk k - то проводника.  [33]

Значения потенциала на границе заданы. По известному распределению потенциала на границе области необходимо отыскать значения искомого потенциала во всех внутренних узлах сетки. Принципиально это может быть сделано следующим образом.  [34]

Здесь второе слагаемое справа представляет собой потенциал слоя, образованного центрами возбуждения. Этот слой размещен по поверхности, ограничивающей рассматриваемую область, его плотность определяется производной по нормали от искомого потенциала скоростей.  [35]

Весь прибор помещается в лейденскую банку, внутренняя поверхность которой заряжена и соединена с притягивающимся диском и защитным кольцом. Другой диск управляется микрометрическим винтом и соединяется сначала с Землей, а затем с проводником, потенциал которого подлежит измерению. Искомый потенциал равен разности отсчетов, умноженной на константу, которая должна быть определена для каждого электрометра.  [36]

37 Схема включения накаленного зонда. [37]

Метол применения накаленного зонда сводится к следующему. Снимают две вольтамперные характеристики зонда при холодной нити и при нити, накаленной до заметной термоэлектронной эмиссии. Тот потенциал, при котором обе эти кривые начинают расходиться, будет искомым потенциалом газа.  [38]

Хотя потенциал данного распределения зарядов всегда может быть найден при помощи интегрирования, иногда можно сберечь время, применив какой-нибудь хитроумный прием. Например, на помощь часто приходит принцип наложения. Если нам дано распределение зарядов, которое можно составить из двух распределений с уже известными потенциалами, то искомый потенциал легко получить, просто сложив уже известные между собой.  [39]

Обобщенное уравнение Гельфанда - Левитана дает возможность вычислять потенциал У / по Vn при заданных 5 / и 5П и заданных собственных функциях для Vn. Можно вычислить Vm и затем соответствующие ему собственные функции, исходя из Sn и Уп, a затем от спектральных данных Sm и потенциала Vm перейти к нашему искомому потенциалу У /, выполнив вычисления еще раз. Состояние т произвольно, и V не зависит от выбора пути.  [40]

Оценивая в заключение степень достоверности имеющихся данных о величине катодного падения Uc некоторых металлических дуг, необходимо принять к сведению два следующих-обстоятельства. Во-первых, вследствие ничтожной протяженности d области объемного заряда у катода этих дуг определение истинных величин Uc методом зондов является невыполнимой задачей. Этот метод позволяет лишь определить потенциал пространства на тех или иных сравнительно больших расстояниях х от катода. Так как искомый потенциал в точке x d может заметно отличаться от определяемых значений, при измерениях совершается неизбежная ошибка. Задача состоит в том, чтобы по возможности уменьшить указанную ошибку и оценить ее величину. Если исходить из свойств обычной плазмы газового разряда, то в области отрицательного свечения, характеризующейся громадными значениями концентрации зарядов, потенциал пространства должен достигать максимальных значений с довольно-большим градиентом поля вблизи этой области.  [41]

Отметим, однако, что при определенном взгляде на природу установки большой разброс цен суждений, отмечаемых одним респондентом, может быть допустим. Имеется в виду ситуация, когда мы полагаем, что установка определяется потенциалом напряжения, различием положительных и отрицательных эмоций респондента по отношению к объекту установки. И вполне можно допустить, что в каких-то сторонах объекта респондент видит соответствующий негатив и отмечает отрицательные суждения, а в каких-то - позитив и отмечает положительные суждения. Соответствующая медиана как бы отвечает искомому потенциалу.  [42]

43 Стандартный водородный электрод ( СВЭ. [43]

Действительно, способа определения таких величин не существует, поскольку все измерительные устройства определяют только разность потенциалов. Чтобы измерить эту разность, один провод измерительного устройства присоединяют к изучаемому электроду; чтобы замкнуть цепь, второй провод следует привести в соприкосновение с раствором. Это неизбежно приводит к возникновению границы раздела электрод - раствор, действующей как второй полуэлемент, в котором при протекании тока, необходимого для измерения потенциала, также должна идти химическая реакция. Таким образом, мы измеряем не абсолютное значение потенциала, а скорее сумму искомого потенциала и потенциала полуэлемента, являющегося контактом между измерительным устройством и раствором.  [44]

Указанный метод применяется также для моделирования двумерных и трехмерных полей. В связи с Тем, что нас интересует принципиальная сторона метода, здесь вопросы применения его к решению двумерных и трехмерных задач не рассматриваются. Резистивный метод моделирования нуждается в основательной автоматизации, так как при наличии большого числа узловых точек сетки измерение искомых потенциалов и их экстраполирование на свободные концы сопротивлений RQ требует длительного времени и определенных усилий.  [45]



Страницы:      1    2    3