Cтраница 1
Химический потенциал атомов в металле ( iM определяется избыточной свободной энтальпией, обусловленной присутствием дислокаций. [1]
Химические потенциалы атомов или ионов в дефектном кристалле легко получить из выражений для химических потенциалов дефектов. По определению, химический потенциал рассматриваемого иона равен изменению изобарного потенциала кристалла при добавлении в него одного иона. Ион может быть введен в кристалл двумя способами: или внедрен в междууз-лие, или размещен в узле, заполнив существовавшую там вакансию. При первом процессе изменение изобарного потенциала соответствует появлению междуузельного дефекта и равно его химическому потенциалу, при втором процессе - исчезновению вакансии и равно ее химическому потенциалу со знаком минус. [2]
Химический потенциал атомов металла является функцией природы металла и температуры, а химический потенциал ионов металла в растворе является функцией температуры и их активности. [3]
Здесь пределами интегрирования являются значения химических потенциалов атомов М и X в приэлектродных слоях электролита. [4]
Согласно [86] давление Лапласа является чисто математическим понятием, позволяющим формально представить химический потенциал атомов в теле конечных размеров при истинном давлении р как химический потенциал в теле бесконечно больших размеров при давлении р Ар, сдвинутом относительно истинного давления р на величину лапласовского давления Др. При термодинамическом равновесии форма тела малых размеров должна обеспечивать минимум его поверхностной энергии. [5]
Заметим, что производные статистической суммы, фигурирующие здесь и в формуле (6.150) для химического потенциала атомов, происходят от содержащего статистическую сумму слагаемого в выражении для свободной энергии. [6]
Этот вклад, равный деформационному приросту тока реакции ионизации металла, определяется деформационным сдвигом химического потенциала атомов металлического электрода, одинаково влияющим на первичный акт перехода для активного и пассивного состояний, различающихся последующими промежуточными стадиями. Как в пленочной, так и в адсорбционной теориях пассивности считается установленным образование поверхностных хемосорбционных ( промежуточных) соединений. На первичный акт перехода ион-атома металла при образовании такого промежуточного соединения оказывает влияние механическое воздействие на металлический электрод. [7]
Основную часть химического потенциала металла составляет решеточный потенциал ( особенно для переходных металлов), и изменение энергии свободных электронов дает вклад в изменение химического потенциала атома лишь в меру статистического веса свободных носителей. [8]
Как и в предыдущем разделе рассмотрим наиболее простой случай двухкомпонентной плазмы, состоящей из однократно заряженных водородо-подобных ионов и электронов, и выделим в соответствующих формулах плотность и химический потенциал атомов. [10]
Исследование влияния деформации на электрохимические характеристики меди в потенциодинамическом режиме показало, что для поведения меди характерны закономерности, свойственные рассмотренным выше металлам: деформация сдвигает участки, соответствующие области активного растворения, параллельным переносом в сторону отрицательных потенциалов, а ток пассивации - в сторону увеличения плотности; в области максимальных деформаций имеет место возврат, что связано с уменьшением химических потенциалов атомов металла, а следовательно, с уменьшением механохимического эффекта. [11]
![]() |
Изменение термодинамического потенциала при ге-терогенизации твердого раствора. [12] |
Согласно классической теории фазовое превращение начинается с образования зародышей критического размера. При определении размеров такого зародыша исходят из равенства химических потенциалов атомов в зародыше цэ и исходной фазе jv Вследствие энергетических затрат на образование межфазной поверхности и упругую энергию, вызванную изменением формы и объема испытавшей превращение области, химический потенциал компонентов в зародыше повышен. [13]
На роли структуры и сте пени упорядочения расплава следует остановиться подробнее. Этот фактор связан с задачей учета упругой энергии при рассмотрении химического потенциала атома в расплаве. Известно, что расплавы имеют вполне или частично упорядоченное строение и содержат области упорядочения - кластеры, доля которых зависит от многих факторов и в особенности от степени отклонения от р - 7-параметров плавления. Эти кластеры имеют тенденцию к группировке вблизи твердых ядер, особенно вблизи поверхностей с кристаллическим строением, образуют поликластерные участки упорядочения. С этим связано наблюдаемое упорядочение расплава в области металлической пленки, примыкающей к растущим кристаллам алмаза. [14]
Это позволяет исследовать ионизационное равновесие в неидеальной плазме: определять концентрацию электронов и ионов, соответствующую заданному химическому потенциалу атомов. [15]