Притягивающий потенциал
Cтраница 1
Притягивающий потенциал между этим избыточным валентным электроном и яд ром Р меньше, чем в изолированном атоме, т.к. в кристалле S1 кулоновскии потенциал ядра Р экранируется не только электронами остова атома Р, но и остальными четырьмя его валентными электронами, а также всеми валентными электронами соседних атомов Si. Этот эффект экранирования позволяет нам приближенно представить притягивающий кулоновскии потенциал, действующий на дополнительный валентный электрон Р, как кулоновскии потенциал протона, экранированный валентными электронами Si. Таким образом, примесь Р в Si ведет себя подобно атому водорода помещенному в Si, за тем исключением, что масса ядра Р настолько тяжелее массы протона, что ее можно считать бесконечной. Кроме того, кулоновское притяжение между электроном и положительным зарядом в этой водородоподобной примеси много меньше, чем кулоновское притяжение в атоме водорода, поскольку оно сильно экранировано большим количеством валентных электронов в Si. Вследствие этого избыточный валентный электрон в атоме Р слабо связан с атомом Р, когда этот атом находится в кристалле Si. Такой слабо связанный электрон легко может быть ионизован посредством термического или электрического возбуждения. По этой причине Р в Si является донором а избыточный валентный электрон, который он может отдавать, называется донорным электроном. В случае акцепторного примесного атома в Si ( такого как атом В, замещающий атом Si) имеется недостаток валентных электронов, когда акцептор образует связи с ближайшими соседними атомами Si. Вместо того, чтобы считать, что у атома акцептора не хватает валентного электрона, мы считаем, что у него есть избыточная дырка слабо связанная с отрицательно заряженным ядром В с бесконечной массой. В то время, донорный атом можно сравнить с атомом водорода, акцепторный атом аналогичен позитрону, связанному с отрицательно заряженным / / - мезоном. [1]
Бели притягивающий потенциал для системы 2 отсутствует, то в согласии с результатами Андрианова и Попова [ l ] установлено, что при TTW 1C отсутствует. [2]
В системе нейтрон - протон притягивающий потенциал могут создавать магнитное и электрическое диполь-дипольные взаимодействия или спин-орбитальное взаимодействие. Отталкивающий потенциал создается пондеромоторными силами. Из (6.1) и формул (5.22), (5.24) следует, что электрическое диполь-дипольное взаимодействие существенно слабее магнитного. Потенциал магнитного диполь-дипольного взаимодействия достигает минимума при п 0 и р тт. [3]
 |
Обозначения. - изотерма Ван-дер - Ваальса ( v 0. - - - - - - - - - - точная изотерма. - - - - - - - - - - - - - изотерма с точностью до уб. [4] |
Здесь С2оо ( множитель 2 возникает ввиду того, что мы рассматриваем притягивающий потенциал - ооуехр [ - vUll) - Огромное различие между уравнениями ( 47) и ( 49) состоит в том, что интеграл в уравнении ( 49) может быть вычислен точно благодаря линейному упорядочиванию в системе твердых палочек. [5]
Недавно Хонглер [6.35, 36] исследовал один точно разрешимый класс моделей, описывающих движение в ангармоническом притягивающем потенциале. Шум в моделях аддитивный и поэтому не влияет на детерминированный переход. Хонглер показал, что переход от унимодального к бимодальному режиму происходит при t tc, где tc логарифмически зависит от детерминированного параметра бифуркации. Эти точные результаты относительно чисто индуцированного шумом разрешения точки возврата и соответствующего детерминированного перехода показывают, что оба явления имеют одни и те же характерные особенности. [6]
Радиус классически доступной сферы эквивалентных 6s2 электронов возрастает вследствие того, что на малых расстояниях притягивающий потенциал становится сильнее, чем кулоновский. [8]
Итак, снова получается уравнение Ван-дер - Ваальса, а ван-дер-ваальсовская константа а по-прежнему пропорциональна интегралу притягивающего потенциала. [9]
По своей природе явление поверхностного эмиссионного резонанса аналогично известным резонансам, возникающим в сечении рассеяния частиц на притягивающих потенциалах, и математическое описание его может быть проделано сходным образом. [10]
Стерн и Ховард [1705] показали, что вычисленная в борновском приближении величина эффективного сечения занижена для рассеяния на притягивающем потенциале и завышена для рассеяния на отталкивающем потенциале. По мере удаления заряженного рассеивающего центра от плоскости, которую занимают электроны, точность борновского приближения возрастает. Поэтому оно обычно используется для описания рассеяния в инверсионных и обогащенных слоях в полупроводниках, представляющих собой квазидвумерные системы, т.е. системы, толщина которых отлична от нуля. [11]
Из обсуждения феноменологических моделей однобозонного обмена в разделе 3.9 известно, что основной частью потенциала в этом канале является центральный притягивающий потенциал Юкавы, Мы хотим сконцентрировать наше внимание на этом слагаемом и вывести его из 2я - обменного взаимодействия. [12]
Заканчивая параграф, приведем некоторые результаты, характерные для связанных состояний в двумерных системах. Отметим, что произвольно слабый притягивающий потенциал может создать связанное состояние, хотя для очень слабого потенциала энергия связи оказывается экспоненциально малой по сравнению с глубиной соответствующей потенциальной ямы ( [1057], стр. [13]
Для притягивающего s - волнового потенциала ситуация до некоторой степени другая. При ослаблении отталкивания кинетического члена за счет увеличения Re % притягивающий потенциал Re 2 / 2гал 0 может давать увеличивающееся число связанных состояний. [15]
Страницы: 1 2