Динамические потери

Cтраница 1

Зависимость изменения падения напряжения на транзисторе П210А в режиме насыщения от кратности тока базы Ь. [1]

Динамические потери при переключении определяются в основном мгновенной мощностью, выделяемой в транзисторе при выключении за время переходного процесса. [2]

Динамические потери вызываются вихревыми токами и потерями на магнитное последствие или магнитной вязкостью, которые учитывают в слабых магнитных полях; они обусловлены остава-нием магнитной индукции от изменения напряженности магнитного поля. [3]

Динамические потери в транзисторе при включении на нагрузку, шунтированную диодом, превышают потери при включении на активное сопротивление с тем же током нагрузки: при тд - - 0 ( при идеальном высокочастотном диоде) в 3 раза, при тд тт - в 6 - 9 раз и более чем в 10 раз при тд тт. [4]

Динамические потери в транзисторах 7 и Г2 этой схемы определяются по выражению ( 9 - 20), деленному на два, а в транзисторах Т3 и Г4 - по выражению ( 9 - 13), деленному на два. [5]

Динамические потери в данной схеме близки к потерям в большинстве двухтактных регулируемых схем при Р с ( кривая 2 на рис. 9 - 15) и несколько превышают их вследствие перекрытия при переключении транзисторов. [6]

Динамические потери или потери на переключении, связанные с длительностью переходных процессов, амплитудой переключаемых токов и напряжений, а также характером нагрузки. [7]

Динамические потери возникают при реверсе, торможении или разгоне рабочего органа станка. Эти потери необходимо рассчитывать с учетом масс перемещающихся рабочих частей станка и массы рабочей жидкости, принимающей участие в этих процессах, на основе теоремы о работе и кинетической энергии или теоремы о количестве движения и импульсе сил. [8]

Зависимость коэффициента динамических потерь от запаса по насыщению. [9]

Динамические потери возникают как при включении, так и при выключении транзистора. Однако при включении динамические потери в транзисторе оказываются ничтожно малыми и их можно не учитывать при инженерных расчетах. [10]

Динамические потери в транзисторе представляют собой сумму мощности, рассеиваемой в транзисторе при переходе из состояния отсечки в состояние насыщения, и мощности, рассеиваемой в транзисторе при переходе из состояния насыщения в состояние отсечки. [11]

Динамические потери мощности в диодах выпрямителя при этом возрастают. [12]

Схема потерь давления. [13]

Динамические потери давления пропорциональны скоростям заполнения формы. Статические потери давления в форме также могут быть разделены на потери в литниках Арс. [14]

Динамические потери энергии в магнитопроводе вызываются, прежде всего, вихревыми токами, индуктированными в массе магнитного материала. Частично динамические потери обусловлены магнитными последействиями из-за наличия магнитной вязкости материала. [15]

Страницы: 1 2 3 4