Динамические потери

Cтраница 2

Суммарные динамические потери схем конверторов по рис. 9 - 4, а, б соответствуют значениям кривой 4 рис. 9 - 15, деленным на два. [16]

Уменьшить динамические потери в транзисторе для повышения КПД и функциональной надежности можно воздействием на цепь управления транзистора, что будет рассмотрено ниже, или на силовую цепь, что позволяет к тому же уменьшить перегрузку транзистора по мгновенной мощности. [17]

Это позволяет уменьшить динамические потери в диодах и увеличить максимальный коэффициент заполнения импульсов утах. Резистор R1 служит для ограничения максимального тока через транзистор VT1 при насыщении магнитопровода Т во время обратного перемагничивания и может быть исключен при работе дросселя L в режиме прерывистых токов. [18]

При этом увеличиваются динамические потери в транзисторе и преобразователь может выйти из строя. [19]

Кроме того, эти динамические потери напора должны быть минимальными. [20]

В этом случае несколько увеличиваются динамические потери на открывание транзистора из-за добавления тока дозаряда конденсатора цепочки к коммутационному пику тока коллектора. Поэтому эффективным средством уменьшения динамических потерь как на открывание, так и на закрывание транзистора в конверторах является совмещение двух описанных способов. [21]

Временные диаграммы коммутационных процессов в транзиторе. [22]

Коммутационные процессы в транзисторе определяют динамические потери при его переключении. Слишком большие активные потери могут перегреть транзистор, и он пробьется. Поэтому очень важно уметь прогнозировать тепловой режим транзистора. [23]

При уменьшении толщины полости формы динамические потери давления повышаются, статические потери давления в литнике и впуске остаются постоянными, а в полости формы заметно увеличиваются. [24]

При этом первая составляющая представляет собой динамические потери энергии Лд [ при разгоне маховых масс системы вхолостую до / гс; вторая - дополнительные динамические потери из-за наличия статической нагрузки и третья составляющая - статические потери. [25]

Из формулы (2.33) видно, что динамические потери возрастают при повышении частоты переключений. При работе транзистора на повышенных частотах эти потери соизмеримы и даже могут превысить остальные составляющие полной мощности потерь. [26]

Если жидкость неподвижна ( следовательно, динамические потери давления Д Рдин. [27]

Если жидкость неподвижна ( следовательно, динамические потери давления Д Рдин. А, равном 16 3 бар, давление в точке Е будет РЕ Рд ДРстат. [28]

Схемы с полузависимым возбуждением. [29]

Все схемы с полузависимым возбуждением имеют уменьшенные динамические потери в основных транзисторах, что показано в следующем параграфе, и обладают способностью работать при перегрузках, что рассмотрено в гл. [30]

Страницы: 1 2 3 4