Рекомбинационные потери

Cтраница 1

Рекомбинационные потери характеризуются эффективной скоростью рекомбинации носителей S - на границе раздела. Полагают, что S / не зависит от приложенного напряжения. Условие непрерывности фототока, проходящего через границу раздела, записывается в виде / вх / вых qn i, причем для концентрации носителей на границе раздела справедливо приближенное равенство n ( xj) a Я8 вых / ( 7А &) где S 1 ( Vd-V) IWd ( V); Vj - диффузионный потенциал; Wj ( V) - ширина обедненного слоя и щ координата границы раздела. [1]

Рассмотрим теперь рекомбинационные потери в СЭ. В реальном СЭ электронно-дырочные пары могут быть генерированы солнечным излучением как в п -, так и в р-области, в зависимости от того, на какой глубине произошло поглощение фотонов с данной энергией. Неосновные носители тока - электроны в р-области и дырки в re - области - двигаются к р-п-переходу ( рис. 1.10), электрическое поле которого осуществляет собирание электронов в re - область, а дырок в р-область. Часть неосновных носителей тока может исчезнуть в результате рекомбинации. За меру эффективности процесса собирания фотогенери-рованных носителей принимается коэффициент Q ( коэффициент собирания), равный отношению количества электронно-дырочных пар, разделенных полем р - re - перехода, к общему количеству генерированных светом электронно-дырочных пар. Величина Q существенно зависит от длины волны возбуждающего излучения, поскольку имеет место спектральная зависимость показателя поглощения полупроводников ( рис. 1.3) и генерация носителей происходит на разном расстоянии от р-ге-перехода. [2]

При увеличении тока эмиттера рекомбинационные потери уменьшаются как вследствие увеличения скорости диффузии за счет полевого тока, так и из-за увеличения т с ростом концентрации неосновных носителей, которое имеет место в достаточно легированных образцах, где TOO тр. [3]

Принципиальная конструкция термоядерной установки с кольцевым индукционным ускорителем. [4]

Несмотря на охлаждение плазмы стенками тора и рекомбинационные потери, температура, давление и проводимость газа в процессе увеличения тока ( крутизна нарастания около 10s а / сек) настолько возрастают, что в плазме на короткое время ( во время разряда) могут существовать условия для протекания термоядерной реакции. [5]

Зонная диаграмма p - AUGai - xAs - n - GaAs-гетеро-перехода. [6]

Кроме того, обеспечивается высокое быстродействие, исключаются рекомбинационные потери на освещаемой поверхности, а также реализуется выход ре-комбинационного излучения без поглощения. [7]

Если освещенность не очень велика, так что eUs ф0, но рекомбинационные потери в базе еще превышают электронный ток эмиттера, то Уф растет почти линейно с Ус. Некоторое отступление от линейности может быть связано с изменением потерь на рекомбинацию для светового и особенно темнового токов при увеличении уровня инъекции. T / TOO - Поэтому в промежуточной области коэффициент усиления фототока может и уменьшаться, и увеличиваться с увеличением освещения. [8]

Полученные зависимости КПД от Ед1 и EgZ являются предельными теоретическими, при расчете которых учитывались только рекомбинационные потери и не учитывались реальные потери на отражение света, на затенение контактами, а также потери на последовательном сопротивлении. В каскадных солнечных элементах имеются дополнительные потери, возникающие при соединении элементов в каскад. Поэтому для нахождения реально достижимых КПД необходимо теоретические значения КПД, приведенные на рис. 3.38 и 3.39, уменьшить в 1.20 - 1.25 раза. [9]

Заметим, что если бы даже условие (34.31) не выполнялось, то это означало бы лишь, что рекомбинационные потери фотоносителей в р - тг-нереходе превышают темповой ток. Однако обычно они малы по сравнению с рекомбинационными потерями фотоноситслей в объеме. [10]

С ростом тока эмиттера в соответствии с выражением (4.14) увеличивается напряженность внутреннего поля базы, движение дырок на коллектор становится более направленным, в результате уменьшаются рекомбинационные потери на поверхности базы, возрастает коэффициент переноса v, а следовательно, и а. При дальнейшем увеличении тока эмиттера снижается коэффициент инжекции и растут потери на объемную рекомбинацию, поэтому коэффициент передачи тока а начинает уменьшаться. [11]

С ростом тока эмиттера коэффициент передачи тока базы вначале повышается вследствие увеличения напряженности внутреннего поля базы, ускоряющего перенос дырок через базу к коллектору и этим уменьшающего рекомбинационные потери на поверхности базы. [12]

Для повышения квантового выхода фотоприемника т) ф уменьшают коэффициент отражения на границе оптическая среда - полупроводник, а также снижают потери пассивного поглощения в полупроводнике, не приводящие к образованию неравновесных носителей, и рекомбинационные потери. [13]

В коронном разряде электрическая энергия преобразуется главным образом в тепловую энергию газа вследствие того, что ионы передают свой импульс молекулам. В химическую энергию и свет превращается лишь малая часть электрической энергии; рекомбинационные потери также невелики. Коронный разряд на переменном токе осложняется из-за выталкивания пространственного заряда в окружающий объем полем проволоки. Когда поле меняет свое направление, этот пространственный заряд притягивается проволокой, в то время как ионы противоположного знака отталкиваются. Изучение коронного разряда переменного тока представляет значительный практический интерес, так как потери энергии на высоковольтных линиях передач при наличии коронного разряда могут быть весьма большими. [14]

Нетрудно сделать вывод, что коэффициент переноса увеличивается с ростом уровня инжекции, а значит, и тока. Физически рост х связан с увеличением поля в базе, уменьшающего время пролета, а значит, и рекомбинационные потери электронов. [15]

Страницы: 1 2