Рекомбинационные потери
Cтраница 2
Отметим, что при напряжении на переходе ( 2), меньшем пробивного, и / у 0 также имеют место слабый дырочный ток в ргоб-ласть и слабая электронная эмиссия с Прэмиттера. Однако в этом случае механизм зажигания не срабатывает, так как при очень малой плотности тока эмиттера большинство электронов рекомбини-рует, не успевая достигнуть п2 - областн. При возрастании плотности тока эмиттера рекомбинационные потери снижаются, а коэффициент усиления тока в Л1 - / г2 - промежутке увеличивается. Поэтому зажигание не наступает до тех пор, пока плотность эмиттерного тока [ за счет лавинного пробоя перехода ( 2) ] не превзойдет некоторое наименьшее значение. [16]
Для повышения эффективности влияния управляющего поля были предложены различные способы увеличения чувствительности МДП варикапов к инъекции. Один из путей заключается в улучшении технологии, снижающей рекомбинационные потери, другой - в использовании неравновесного режима истощения ОПЗ, когда чувствительность к неравновесным носителям резко возрастает ввиду увеличения объема истощенной ОПЗ, максимально чувствующего неосновные носители, а рекомбинационные потери, благодаря резкому увеличению высоты барьера в истощенном слое ОПЗ, снижаются. Существует несколько вариантов МДП варикапов с неравновесным истощенным слоем. Управляемый внешним полем МДП варикап с неравновесным истощением [153, 128, 35] имеет К. Для типичных МДП структур легко можно получить коэффициент перекрытия К. [17]
 |
Различные варианты линии ПЗС с перекрывающимися затворами. [18] |
Хранение и перенос информации, очевидно, можно осуществлять только за время, в течение которого процессы термической генерации и диффузии не успевают значительно изменить введенный заряд неосновных носителей. Следовательно, ПЗС в принципе могут быть использованы для разработки динамических устройств. В последнее время, благодаря достижениям технологии, удалось резко уменьшить генерационно - рекомбинационные потери на границе раздела структур Si - SiO2, доведя время хранения информации до 103 сек при комнатной температуре. Понижение температуры резко увеличивает время хранения информации ( при температуре жидкого азота - до многих месяцев), а использование широкозонных полупроводников ( типа CdS) в качестве базового материала увеличивает время хранения до многих часов уже при комнатной температуре. Нижняя граница для переноса определяется потерями переноса, которые возрастают с ростом тактовой частоты. [19]
Для повышения эффективности влияния управляющего поля были предложены различные способы увеличения чувствительности МДП варикапов к инъекции. Один из путей заключается в улучшении технологии, снижающей рекомбинационные потери, другой - в использовании неравновесного режима истощения ОПЗ, когда чувствительность к неравновесным носителям резко возрастает ввиду увеличения объема истощенной ОПЗ, максимально чувствующего неосновные носители, а рекомбинационные потери, благодаря резкому увеличению высоты барьера в истощенном слое ОПЗ, снижаются. Существует несколько вариантов МДП варикапов с неравновесным истощенным слоем. Управляемый внешним полем МДП варикап с неравновесным истощением [153, 128, 35] имеет К. Для типичных МДП структур легко можно получить коэффициент перекрытия К. [20]
Фотодиоды с гетероструктурой представляют собой один из наиболее перспективных типов оптоэлектрон-ных фотоприемников. Генерируемые в п-области под воздействием оптического излучения дырки беспрепятственно переносятся в р - область. Ширина активной n - области выбирается такой, чтобы обеспечить поглощение всего излучения. Высокая степень чистоты активной области, низкая плотность поверхностных состояний границ между слоями обеспечивают малые рекомбинационные потери фотоносителей. [21]
Хойл [174] первым подробно исследовал температуру сжимающегося облака газа, масса и размер которого равны массе и размеру галактики. Он показал, что температура газа не может быть настолько высокой, чтобы предотвратить сжатие, и поэтому облако должно почти свободно падать, причем это сжатие временами должно прекращаться, когда разные части ( несферического) облака сталкиваются друг с другом и образуются ударные волны и сильные уплотнения. В общих чертах все происходит следующим образом. Когда температура Т превосходит - 104К, в газе, состоящем из водорода и гелия, основные потери энергии на излучение определяются тормозным излучением электронов, которые ускоряются в поле ионов, и, кроме того, существенный вклад вносят рекомбинационные потери при Г-104 К. [22]
Страницы: 1 2