Cтраница 3
При катодном распылении не существует критической температуры и плотности потока атомов, как при термическом испарении. Причина этого явления заложена в локальной очистке поверхности быстрыми ионами и более высокой энергией распыляемых частиц. [31]
Направление роста кристаллов в выростах практически совпадает с направлением потока атомов меди на поверхность растущего покрытия, что указывает на их чисто ростовую природу. В ряде случаев текстура отсутствует. Выросты слабо связаны как с подложкой, так и с самим покрытием. Они могут быть легко извлечены из покрытия пинцетом. [32]
Для анализа процесса конденсации пленок в вакууме выделим в потоке атомов вещества сечение вблизи подложки. По мере приближения частиц к поверхности они начинают испытывать воздействие ее силового поля. Вначале проявляет себя слабая дальнодействующая сила притяжения, а затем на близком расстоянии близкодействующая сила отталкивания. Большинство частиц в рассматриваемом сечении преодолевает противодействие и касается поверхности подложки при условии, что они имеют значительную энергию, приобретенную в источнике и не растраченную на столкновения в пути. [33]
Практически такое равновесие достигается в исключительных случаях, так как поток десорбированных атомов в обычных условиях конденсации мал по сравнению с падающим потоком. [34]
Один из известных способов получения ионов состоит в том, что поток атомов, направленный иа поверхность твердого тела, выбивает из нее положит, и отрицат. Cs с плотностью до 0 1 А / см2 получают при диффузии атомов Cs через накаливаемый пористый W. Десорбируемый с нагретой поверхности атом Cs удаляется преим. Cs, потому что для его ионизации надо затратить меньше энергии, чем работа, выхода электрона из W, и, следовательно, более вероятным является захват общего электрона металлом, а не отделяющейся от поверхности частицей. Если энергия сродства к электрону больше работы выхода, то в системе атом - поверхность твердого тела общий электрон захватывается не твердым телом, а атомом и образуются отрицат. [36]
![]() |
Степень инверсии в системе атомов, совершающих осцилляции Раби, определенная по их флуоресценции. [37] |
Для АВЛИС-процесса эти условия не характерны: и свет, и поток атомов имеют свою спектральную ширину. И, тем не менее, формула (8.2.61) - это конкретное количественное теоретическое указание на спектральное дальнодействие света, приводящее в АВЛИС-процессе к фотоионизации нецелевых изотопов и снижению селективности на стадии чисто лазерного воздействия. [38]
В кристалле с равномерно распределенным растворенным элементом при наличии дислокаций возникает поток атомов этого элемента по направлению к дислокационным линиям. При этом в зависимости от характера взаимодействия инородных атомов с ядром дислокации возможно два различных случая. Второй случай реализуется, когда дислокации служат эффективными стоками для атомов растворенного элемента, которые при этом удаляются из раствора. Этот случай соответствует зарождению и росту частиц выделения ( второй фазы) на дислокациях. [39]
При вакуумном осаждении из газовой фазы ( метод молекулярного пучка) поток испаренных атомов металла ( молекулы вещества), не встречая в условиях высокого вакуума препятствий, прямолинейно движется к холодной поверхности подложки и там конденсируется. Плотность потока в этом методе столь велика, что получение бездефектных металлических пленок затруднено. Инертная атмосфера используется в методе катодного осаждения, когда не требуются высокие температуры для испарения вещества. Метод катодного осаждения применяется для создания в основном эпитаксиальных слоев, а также поликристаллических и аморфных металлических слоев. [40]
Он помещал термометр, шарик которого был покрыт солью металла, в поток атомов водорода, который восстанавливал эту соль до металла. [41]
![]() |
Расчетная модель автоэмиссионного диода ( а и распределение температуры по толщине анода ( б при учете глубины проникновения электронов в материал анода. [42] |
Например, для молибдена при температуре 2100 К ( 50 Вт) поток испаряющихся атомов молибдена составит приблизительно 1013 атомов в секунду, что заметно превышает поток ионов остаточных газов ( 105с - 1) - Такое увеличение ионной бомбардировки обусловливает быстрое разрушение поверхности образца, сглаживание его микрорельефа, уменьшение степени шероховатости поверхности и, как следствие, уменьшение тока автоэмиссии образца. [43]
При росте из паровой фазы, как мы отмечали выше, расчет потока атомов ( молекул) обычно проводят по схеме среда ( пар) - поверхность кристалла ( подложка) - ступень - вдоль ребра ступени к излому. При росте из раствора может случиться, что одна или несколько стадий в этой схеме обладают существенным сопротивлением; тогда могут стать более эффективными другие потоки, например среда - излом, среда - ступень - излом. [44]
![]() |
Потенциал Леннард-Джонса при значениях параметра обрезания гс 1 6а ( 1 - и и / Do, формула ( 37 и гс ос ( 2 - и v / Do, формула ( 19. г 21 / г / о. [45] |