Поток - основной носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Схема устройства плоскостного германиевого транзистора типа р-п - р. [1] |
Поток основных носителей заряда перемещается в канале, представляющем полупроводник п - или р-типа. Управление потоком основных носителей осуществляется изменением поперечного сечения канала под действием электрического поля управляющего электрода. [2]
В результате поток основных носителей заряда, способных преодолеть потенциальный барьер, резко уменьшается и уже при обратных напряжениях, больших - 0, 1 В, диффузионные потоки основных носителей можно считать пренебрежимо малыми. Неосновные носители заряда, находящиеся на расстояниях, больших Ln и Lp, рекомбинируют раньше, чем дойдут до границы обедненного слоя перехода, и в образовании обратного тока участвовать не будут. [3]
 |
Действие внешнего напряжения на р-п. [4] |
При определенной высоте потенциального барьера потоки основных носителей заряда через р-л-переход практически прекращаются и ток через переход будет обусловлен только потоками неосновных носителей, скатывающихся с потенциального барьера. [5]
 |
Структуры полевых транзисторов с одним управляющим p - n - переходом ( а, с двумя управляющими / з-п-переходами ( б. в и принципиальная схема включения с общим истоком ( в. [6] |
Область в полупроводнике, в которой регулируется поток основных носителей заряда, называют проводящим каналом. Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал входят носители заряда, называют истоком. Электрод полевого транзистора, через который из канала выходят носители заряда, называют стоком. Электрод полевого транзистора, на который подают сигнал, называют затвором. [7]
 |
Структуры полевых транзисторов с одним управляющим p - n - переходом ( а, с двумя управляющими p - n - переходами ( б. в и принципиальная схема включения с общим истоком ( в. [8] |
Область в полупроводнике, в которой регулируется поток основных носителей заряда, называют проводящим каналом. Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал входят носители заряда, называют истоком. Электрод полевого транзистора, черео который из канала выходят носители заряда, называют стоном. Электрод полевого транзистора, на который подают сигнал, называют затвором. [9]
 |
Включение полупроводникового диода в электрическую цепь. [10] |
Суммарное поле на границе областей р и п увеличится, и поток основных носителей зарядов через границу уменьшится. Следовательно, поток неосновных носителей зарядов будет превышать поток основных носителей, и через диод будет проходить ток, определяемый дрейфом неосновных носителей зарядов. [11]
При изменении полярности приложенного напряжения ( рис. 2 6) дырки в р-области и электроны в - области полупроводника будут удаляться от границы раздела, что приводит к увеличению сопротивления р-л-перехода, а поток основных носителей заряда уменьшается до нуля. [12]
За) и поток дырок из / з-области в - область ( поток 2) именовать потоками основных носителей заряда, а встречные потоки ( потоки 3 и 4) - потоками неосновных носителей заряда. Преобладание потоков основных носителей заряда над потоками неосновных носителей не приводит, однако, к выравниванию концентрации носителей в обеих областях полупроводника, так как перемещение заряженных частиц сопровождается нарушением электрической нейтральности полупроводника в непосредственной близости от границы раздела. [13]
Прибор состоит из пластины кремния с электропроводностью / г-типа, представляющей собой канал полевого транзистора, к торцам которой присоединены два металлических контакта, называемых истоком и стоком. Напряжение источника питания имеет такую полярность, что поток основных носителей заряда ( в канале n - типа электронов) перемещается от истока к стоку. На противоположные грани пластины введены акцепторные примеси, превращающие поверхностные слои в области полупроводника р-типа. Соединенные электрически вместе, эти слои образуют единый электрод, называемый затвором. При этом между каналом и затвором образуются два р-я-перехода. [14]
Прибор состоит из пластинки кремния с электропроводностью п-типа, представляющей собой канал полевого транзистора, на концах которого находятся сильно легированные области, называемые истоком и стоком. Напряжение источника питания имеет такую полярность, что поток основных носителей заряда ( в канале и-типа - электронов) перемещается от истока к стоку. В противоположные грани пластинки внесены акцепторные примеси, превращающие поверхностные слои в области полупроводника р-типа. Соединенные электрически вместе, эти слои образуют единый электрод, называемый затвором. При этом между каналом и затвором образуются два р-п-перехода. [15]
Страницы: 1 2