Cтраница 2
По мере диффузионного перемещения неосновных носителей заряда в глубь п - и р-областей их концентрация и градиент концентрации вследствие рекомбинации непрерывно уменьшаются, в результате уменьшаются диффузионные составляющие потоков Jno и JPD. Так как общий ток диода в стационарном режиме должен быть постоянным, то снижение диффузионных составляющих JnD и JPD компенсируется возрастанием дрейфовых составляющих потоков основных носителей заряда. [16]
Сущность процесса распространения включенного состояния заключается в следующем. В базовых слоях во включенной области тиристора благодаря протеканию тока в открытом состоянии накапливаются избыточные заряды неравновесных электронов и дырок. Некоторая часть основных носителей заряда ( дырок в базе р2 и электронов в базе п) поступает из включенной области в прилегающие участки невключенной области тиристора, При этом в базовых слоях тиристора протекают продольные токи основных носителей заряда. В период резкого спада анодного напряжения потоки основных носителей заряда из включенной области расходуются преимущественно на компенсацию области объемного заряда коллекторного перехода в невключенной области тиристора. Однако с течением времени потоки основных носителей заряда из включенной области начинают превышать их значения, необходимые для компенсации области объемного заряда коллекторного перехода. При этом в базовых слоях участков, прилегающих к включенной области, начинают накапливаться избыточные заряды основных носителей. [17]
Сущность процесса распространения включенного состояния заключается в следующем. В базовых слоях во включенной области тиристора благодаря протеканию тока в открытом состоянии накапливаются избыточные заряды неравновесных электронов и дырок. Некоторая часть основных носителей заряда ( дырок в базе р2 и электронов в базе п) поступает из включенной области в прилегающие участки невключенной области тиристора, При этом в базовых слоях тиристора протекают продольные токи основных носителей заряда. В период резкого спада анодного напряжения потоки основных носителей заряда из включенной области расходуются преимущественно на компенсацию области объемного заряда коллекторного перехода в невключенной области тиристора. Однако с течением времени потоки основных носителей заряда из включенной области начинают превышать их значения, необходимые для компенсации области объемного заряда коллекторного перехода. При этом в базовых слоях участков, прилегающих к включенной области, начинают накапливаться избыточные заряды основных носителей. [18]