Ионный поток

Cтраница 2

Существует несколько способов формирования ионного потока, бомбардирующего мишень, изготовленную из материала, который необходимо распылить. Тлеющий разряд служит наиболее распространенным источником бомбардирующих ионов невысоких энергий. [16]

Схема образования цАМФ в синапсах после высвобояаде-ния дофамипа ( ДА. ДАЭС - дофаминэрги-ческий синапс, СЩ - синаптпческая щель, РН - рецепторньш нейрон. [17]

Некоторые другие нейромедиаторы не изменяют ионные потоки, а активируют аденилатциклазу, связанную с мембраной. Под действием этого фермента образуется циклическая АМФ, которая активирует протеинкиназу. [18]

Анализ уравнения (5.12) показывает, что ионный поток в мембрану при наложении внешнего синусоидального электрического поля возрастает, причем тем больше, чем больше заряд иона и амплитуда переменной составляющей. Как видно из рис. 5 - 7, уравнение (5.12) хорошо описывает экспериментальные результаты. Этим подтверждается правильность рассмотренной модели ионного транспорта через мембрану в процессе обратного осмоса. [19]

Указанное различие траекторий создает возможность выделить из общего ионного потока ту его часть, которая состоит из ионов одного определенного изотопа. [20]

Отсюда, в частности, следует, что ионный поток тепла вдоль направления магнитного поля оказывается независящим от напряженности магнитного поля. [21]

А ( п) - площадь сечения невозму шейного ионного потока, достигающего частицы, когда на ней содержится п ионов. [22]

Основная цель этой работы - показать, что наблюдаемые ионные потоки достаточны для генерации злектростатистических волн большой амплитуды. Механизмы конверсии электростатических волн в электромагнитные аналогичны рассмотренным в предыдущих работах, где источником излучения были электронные пучки. [23]

Теперь легко можно записать решения этих алгебраических уравнений, определяющих неравновесные ионные потоки. [24]

Эквивалентная электропроводность водных растворов MgCb при 25.| Эквивалентная электропроводность водных растворов MgSO при 25. [25]

Келбг [5], атакжеОнзагер - Фуосс [6] принимали, что нормальные компоненты относительного ионного потока исчезают на поверхности ионных шаров. [26]

Анализ энергетических кривых позволяет сделать заключение о местонахождении первичного образования лишь некоторой части ионного потока, бомбардирующего катод. Несомненно то, что ионы, обладающие энергией, близкой к величине eVr и образующие острый пик [4], относятся к числу первичных, возникших в отрицательном свечении. [27]

Анализ энергетических кривых позволяет сделать заключение о местонахождении первичнсго образования лишь некоторой части ионного потока, бомбардирующего катод. Несомненно то, что ионы, обладающие энергией, близкой к величине eVr и образующие острый пик [4], относятся к числу первичных, возникших в отрицательном свечении. [28]

Следовательно, величина An, как и а, характеризует долю участия ДЭС в ионных потоках. [29]

Будем считать, что в пространстве между проводниками линии отсутствуют свободные заряды ( электронные или ионные потоки), а также отсутствуют какие-либо виды активных сред ( например, возбужденные атомы или молекулы), являющиеся источниками СВЧ колебаний. Таким образом, рассмотрение будет ограничиваться случаем пассивной линии, по которой передается электромагнитная) энергия от внешнего генератора. Принципом действия и устройством генератора можно пока не интересоваться, считая, что генератор обеспечивает требуемую частоту колебаний при достаточной мощности. Вопросы генерирования и усиления СВЧ колебаний и, в частности, применение с этой целью активных сред представляют особый интерес и будут рассматриваться во второй части данного курса. [30]

Страницы: 1 2 3 4