Cтраница 2
Поверхность А, на которой отсутствуют свободные электроны, является менее реакционноспособной, чем поверхность В по отношению к окислителям, принимающим электроны в процессе реакции. Более того, адсорбция молекул, являющихся донорами электронов или отрицательных ионов, должна быть сильнее на поверхности А, чем на В, тогда как в случае адсорбции акцепторов или положительных ионов все должно быть наоборот. Различия в химической реакционной способности между А - и В-поверхностями изучались на тетраэдрических образцах, имеющих исключительно А - или В-поверхности. [16]
Как следует из данных табл. 3, тип и величина проводимости образцов не оказывают заметного влияния на характер процесса растворения GaAs. Скорость растворения была примерно одной и той же для п - и p - GaAs, но всегда выше для В-поверхностей. Под действием света наблюдалось понижение значений энергии активации, особенно заметное при растворении А-поверхностей низкоомных образцов л - GaAs, когда при освещении энергия активации понижалась на 4 - 5 ккал / моль. Значения энергии активации и других характеристических величин процесса растворения В-поверхности образцов GaAs под действием света изменялись незначительно. [17]
Скорость движения двухатомных ступенек Vs по поверхности является критическим параметром в процессах растворения. Свободные места, образующиеся при уходе одного или двух смежных атомов из первого поверхностного слоя, являются зародышевыми точками для ступенек. Скорость зародыше-образовании этих дефектов Vn должна быть меньше, чем Vs, я, следовательно, определять скорость процесса. Если V п больше, чем Vs, то большое число свободных атомных мест на поверхности приводит к поверхностной конфигурации с двумя типами атомов, но такая конфигурация не стабильна, как указывалось ранее. Установлено, что скорость растворения В-поверхностей, например InSb, в окисляющем тра-вителе при 0 уменьшается от 7 8 до 0 36 мг / см3 в присутствии 0 5 % бутиламина. [18]