Появление - дырка
Cтраница 1
Появление дырок в двуокиси кремния в сильных электрических полях связывается также с их генерацией в результате взаимодействия инжектированных электронов с анодной границей раздела. [1]
 |
Схематичное изображение кристаллической структуры. [2] |
Появление дырок в полупроводнике и их перемещение в нем связаны с возбуждением валентных электронов, когда в результате поглощения энергии один из валентных электронов освобождается от связи с атомом, становясь подвижным носителем заряда. Нарушение электрической нейтральности в месте разрыва валентной связи эквивалентно появлению там элементарного положительного заряда. [3]
Рассмотрим, например, процесс появления дырок в л-области. Одновременно протекает и обратный процесс - рекомбинация дырок с электронами при возвращении этих последних в заполненную зону. Эти процессы играют главную роль в рождении электронов и дырок только в очень чистых и почти лишенных дефектов кристаллах. [4]
 |
Схема разрыва валентной связи и появление свободного электрона и дырки как носителей заряда. [5] |
На рис. 72 изображены схемы появления дырки в атомной решетке элементарного полупроводника и возникновение электрона проводимости. Электрон, появившийся в междоузлии, является подвижным носителем заряда. [6]
Наоборот, присутствие атомов акцепторной примеси сопровождается появлением подвижных дырок, причем р - zz Na. В условиях термодинамического равновесия число генерируемых электронов равно числу рекомбинирующих. [7]
Неупорядоченность, присущая аморфным полимерам, является причиной появления структурных дырок, неподвижных при температуре, меньшей температуры стеклования, и подвижных при более высокой температуре. Иначе говоря, полимерные сегменты перепрыгивают в дырки ( оставляя позади новые) в процессах диффузии и те -, чения. Скорость этих сегментальных процессов увеличивается с ростом температуры и уменьшается с увеличением энергии межсегментального ( межмолекулярного) взаимодействия, обычно выражаемыми через энергию активации вязкого течения. Кинетическая теория жидкостей Эйринга [43] основана именно на этой молекулярной модели. Впервые она была сформулирована применительно к течению мономеров, при этом в ней предполагалось, что размеры дырок соизмеримы с размерами молекул, а не сегментов. [8]
Так же, как и в плоскостном диоде, появление неравновесных дырок в электрически нейтральной л-области объемного заряда приводит к появлению поля, привлекающего в область положительного объемного заряда дополнительный компенсирующий отрицательный объемный заряд электронов. Время процесса установления крайне мало и исчисляется величинами порядка 10 - п - 10 - 13 сек, так что в рассматриваемом случае можно считать, что одновременно с появлением в средней области некоторого количества неосновных неравновесных носителей в ней появляется такое же количество основных неравновесных носителей. Средняя область остается при этом по-прежнему электрически нейтральной. [9]
Такое движение; электронов в заполненной зоне, возникающее в результате появления электронных дырок, принято называть током дырочной электропроводности. Таким образом, в полупроводниках возможны; электронная и дырочная электропроводности. [10]
Акцепторные уровни - энергетические уровни локализованных состояний электронов, заполнение которых приводит к появлению дырок в валентной зоне. Ангармонизм колебаний - свойство колебаний, обусловленное их отклонением от гармонического. [11]
Часть кривой выше t г; соответствует нарушению устойчивости статистического равновесия в жидкости и беспрепятственному появлению больших дырок. [12]
 |
Распределение электронов по энергиям. [13] |
Из рисунка видно, что вероятность наличия электронов с энергией на A3 выше уровня Ферми равна вероятности появления дырки с энергией на АЭ меньше уровня Ферми. Так как в зоне проводимости полупроводника электронов по сравнению с количеством энергетических уровней немного, то они ведут себя как вырожденный газ и подчиняются статистике Максвелла - Больцмана. [14]
Величина е означает ту энергию, на которую должна увеличиться энергия системы электронов при удалении электрона и появлении дырки. [15]
Страницы: 1 2 3 4