Cтраница 2
![]() |
Атомы мышьяка ( а и бора ( б в решетке кремния. [16] |
Примеси, вызывающие появление электронов проводимости ( например, мышьяк в кремнии), получили название донорных примесей, а примеси, вызывающие появление дырок ( например, бор в кремнии), названы акцепторными. [17]
В заключение отметим, что при / zv 0 49 эв для образцов группы / / и / / / в принципе возможны переходы из и-зоны на уровень / / / и появление дырок. Однако время жизни дырок малб из-за больших сечений их захвата отрицательно заряженными центрами меди, в связи с чем дырочная компонента фототока оказывается при этом весьма малой по сравнению с электронной. [18]
Процесс полиэдрического дырообразования, приводящий к образованию нмдо-полиэдров с одной дыркой и 2п 4 скелетными электронами из замкнутых дельтаэдров с 2п 2 скелетными электронами, может быть продолжен далее с образованием полиэдрических фрагментов, содержащих две или больше дырок. Появление новой дырки в таком процессе полиэдрического дырообразования способствует расщеплению полного графа, образованного в результате взаимодействий в остове полиэдра между радиальными внутренними орбиталями атомов внутренних вершин, на два новых полных графа. Один из этих новых полных графов соответствует взаимодействию в полиэдрическом остове между радиальными внутренними орбиталями атомов вершин, являющихся после образования новой дырки все еще атомами внутренних вершин. [19]
![]() |
Функция распределения электронов по энергиям. [20] |
Из этого рисунка видно, что вероятность наличия электронов с энергией на А. Ферми равна вероятности появления дырки с энергией на ЛЭ меньше уровня Ферми. [21]
![]() |
Схем переходов электронов из валентной зоны в зону проводимости и обратно через рекомбинационные ловушки. [22] |
Этот процесс приводит к появлению дырки, но не приводит к появлению свободного электрона. [23]
Суммарное движение свободных электронов и дырок образует ток в полупроводнике. Так как освобождение электрона сопровождается появлением дырки, то число свободных электронов в полупроводнике должно равняться числу дырок. Опыт и расчеты показывают, что свободные электроны и дырки перемещаются приблизительно с одинаковой скоростью. Поэтому ток в полупроводнике приблизительно в равной мере обусловлен как электронной, так и дырочной прово-димостями. Такая электронно-дырочная проводимость называется собственной проводимостью полупроводника. [24]
Дырки, вошедшие в электронный полупроводник, создают там электрическое поле. Под действием этого поля одновременно с появлением дырок из внешней: цепи поступают дополнительные электроны, которые нейтрализуют избыточный заряд дырок, и тем самым сохраняют электрическую нейтральность. Такое же явление происходит и в дырочном полупроводнике. [25]
Дырки, вошедшие в электронный полупроводник, создали там электрическое поле. Под действием этого поля, одновременно с появлением дырок, из внешней цепи поступают дополнительные электроны, которые нейтрализуют избыточный заряд дырок, чем сохраняется электрическая нейтральность. Такое же явление происходит и в дырочном полупроводнике. [26]
Под действием электрического поля связанный электрон соседнего атома может переместиться и занять дырку. Но восстановление одной связи приводит к нарушению другой и появлению новой дырки. Следовательно, под действием электрического поля происходит движение дырок в направлении, противоположном движению электронов. [27]
Незанятое электроном энергетическое состояние в валентной зоне называется дыркой. Рождение ( генерация) электрона сопровождается в этом случае появлением дырки. [28]
АКЦЕПТОР ( acceptor; accepteur; Akzeptor) - дефект кристалла, к-рый в нейтральном состоянии обладает незанятым локальным уровнем. Переход электронов из валентной зоны на акцепторные уровни приводит к появлению дырок. [29]
Равновесная концентрация носителей - концентрация свободных электронов и дырок в полупроводнике, обусловленная динамическим равновесием процессов их тепловой генерации и рекомбинации. Генерация носителей происходит благодаря тепловым колебаниям атомов кристалла полупроводника, причем вылет электрона из атома сопровождается появлением дырки, так что генерируются пары электрон - дырка. Темп генерации возрастает с повышением температуры. [30]