Появление - дырка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Оптимизм - это когда не моешь посуду вечером, надеясь, что утром на это будет больше охоты. Законы Мерфи (еще...)

Появление - дырка

Cтраница 2


16 Атомы мышьяка ( а и бора ( б в решетке кремния. [16]

Примеси, вызывающие появление электронов проводимости ( например, мышьяк в кремнии), получили название донорных примесей, а примеси, вызывающие появление дырок ( например, бор в кремнии), названы акцепторными.  [17]

В заключение отметим, что при / zv 0 49 эв для образцов группы / / и / / / в принципе возможны переходы из и-зоны на уровень / / / и появление дырок. Однако время жизни дырок малб из-за больших сечений их захвата отрицательно заряженными центрами меди, в связи с чем дырочная компонента фототока оказывается при этом весьма малой по сравнению с электронной.  [18]

Процесс полиэдрического дырообразования, приводящий к образованию нмдо-полиэдров с одной дыркой и 2п 4 скелетными электронами из замкнутых дельтаэдров с 2п 2 скелетными электронами, может быть продолжен далее с образованием полиэдрических фрагментов, содержащих две или больше дырок. Появление новой дырки в таком процессе полиэдрического дырообразования способствует расщеплению полного графа, образованного в результате взаимодействий в остове полиэдра между радиальными внутренними орбиталями атомов внутренних вершин, на два новых полных графа. Один из этих новых полных графов соответствует взаимодействию в полиэдрическом остове между радиальными внутренними орбиталями атомов вершин, являющихся после образования новой дырки все еще атомами внутренних вершин.  [19]

20 Функция распределения электронов по энергиям. [20]

Из этого рисунка видно, что вероятность наличия электронов с энергией на А. Ферми равна вероятности появления дырки с энергией на ЛЭ меньше уровня Ферми.  [21]

22 Схем переходов электронов из валентной зоны в зону проводимости и обратно через рекомбинационные ловушки. [22]

Этот процесс приводит к появлению дырки, но не приводит к появлению свободного электрона.  [23]

Суммарное движение свободных электронов и дырок образует ток в полупроводнике. Так как освобождение электрона сопровождается появлением дырки, то число свободных электронов в полупроводнике должно равняться числу дырок. Опыт и расчеты показывают, что свободные электроны и дырки перемещаются приблизительно с одинаковой скоростью. Поэтому ток в полупроводнике приблизительно в равной мере обусловлен как электронной, так и дырочной прово-димостями. Такая электронно-дырочная проводимость называется собственной проводимостью полупроводника.  [24]

Дырки, вошедшие в электронный полупроводник, создают там электрическое поле. Под действием этого поля одновременно с появлением дырок из внешней: цепи поступают дополнительные электроны, которые нейтрализуют избыточный заряд дырок, и тем самым сохраняют электрическую нейтральность. Такое же явление происходит и в дырочном полупроводнике.  [25]

Дырки, вошедшие в электронный полупроводник, создали там электрическое поле. Под действием этого поля, одновременно с появлением дырок, из внешней цепи поступают дополнительные электроны, которые нейтрализуют избыточный заряд дырок, чем сохраняется электрическая нейтральность. Такое же явление происходит и в дырочном полупроводнике.  [26]

Под действием электрического поля связанный электрон соседнего атома может переместиться и занять дырку. Но восстановление одной связи приводит к нарушению другой и появлению новой дырки. Следовательно, под действием электрического поля происходит движение дырок в направлении, противоположном движению электронов.  [27]

Незанятое электроном энергетическое состояние в валентной зоне называется дыркой. Рождение ( генерация) электрона сопровождается в этом случае появлением дырки.  [28]

АКЦЕПТОР ( acceptor; accepteur; Akzeptor) - дефект кристалла, к-рый в нейтральном состоянии обладает незанятым локальным уровнем. Переход электронов из валентной зоны на акцепторные уровни приводит к появлению дырок.  [29]

Равновесная концентрация носителей - концентрация свободных электронов и дырок в полупроводнике, обусловленная динамическим равновесием процессов их тепловой генерации и рекомбинации. Генерация носителей происходит благодаря тепловым колебаниям атомов кристалла полупроводника, причем вылет электрона из атома сопровождается появлением дырки, так что генерируются пары электрон - дырка. Темп генерации возрастает с повышением температуры.  [30]



Страницы:      1    2    3    4