Появление - объемный заряд
Cтраница 1
 |
Распределение напряженности электрического поля в углеводородной среде ( топливо ТС-1, расстояние между плс-скопараллельными электродами 2 см. [1] |
Появление объемного заряда и связанной с ним неоднородности электрического поля в углеводородных дисперсных системах требует нового подхода к рассмотрению электрокинетики и поляризации в такого рода системах. При этом механизм поляризации будет зависеть от того, находится частица в электронейтральной области или в области приэлектродного объемного заряда. [2]
 |
Изменение тока в ди. [3] |
Вследствие появления объемных зарядов распределение напряженности поля в диэлектрике становится неоднородным. Накопление в диэлектрике объемных зарядов приводит и к такому нежелательному явлению, как неполный разряд конденсатора при коротком замыкании его обкладок, характеризуемый коэффициентом абсорбции, равным отношению остаточного напряжения к начальному. Ток абсорбции используют при изготовлении электретов ( см. гл. [4]
Одной из причин появления объемного заряда на поверхности может явиться наличие на границе ( поверхности) полупроводника электронов в связанных поверхностных состояниях. Этот эффект в значительной степени связан с методом и характером обработки поверхности. Другой причиной может являться, как уже было сказано выше, воздействие окружающей среды, например, адсорбция на поверхности поляризующихся или диссоциирующих молекул. Все это приводило к тому, что выпрямляющие характеристики контакта металл - полупроводник оказывались недостаточно регулярными. Здесь речь не идет о селеновых или купроксных выпрямителях. [5]
 |
Изменение прямого ( а и обратного ( б сопротивлений запорного слоя выпрямителя Cu2O - TiO2 со временем. i - время ( в минутах. [6] |
Наконец, электрический характер процесса доказывается еще появлением объемного заряда поляризации в запорном слое после длительного прохождения тока в запорном направлении. Величина этого заряда также успешно предсказывается произведенным расчетом. [7]
Наконец, электрический характер процесса доказывается еще появлением объемного заряда поляризации в запорном слое иосле длительного прохождения тока в запорном направлении. Величина этого заряда также успешно предсказывается произведенным расчетом. [8]
Процесс формирования сигнала ( образование и сбор заряженных частиц) искажается появлением объемного заряда в непосредственной близости к электродам детектора и конмактной разностью потенциалов. Кроме того, средняя энергия электронов может изменяться под действием самих анализируемых веществ. Эти побочные, явлении иногда приводит к искажению формы tin - ков, неожиданным смещениям нулевой линии, снижению воспроизводимости результатов анализа. [9]
Процесс формирования сигнала ( образование и сбор заряженных частиц) искажается появлением объемного заряда в непосредственной близости к электродам детектора и контактной разностью потенциалов. Кроме того, средняя энергия электронов может изменяться под действием самих анализируемых веществ. Эти побочные явления иногда приводят к искажению формы пиков, неожиданным смещениям нулевой линии, снижению воспроизводимости результатов анализа. [10]
Разный характер распределения катионов и анионов ( из-за разного знака г /) вызывает появление объемного заряда. [11]
Диффузия в магнитном поле, как было показано в § § 64 и 65, приводит к появлению объемных зарядов и ЭДС за счет перераспределения в пространстве заряженных частиц-носителей тока. [12]
Для основных элементов решетки ( М, X), из которых состоят кристаллы, это приводит к появлению поверхностного и объемного заряда точно так же, как было описано выше. Однако может возникнуть такое положение, когда примесные атомы ( Y), присутствующие в газе, будут поглощаться поверхностью. Это обусловливает появление поверхностного заряда, который в свою очередь вызывает появление противоположного по знаку заряда, распределенного на поверхности кристалла. Подтверждением является поведение элементарных кристаллов, в которых отсутствуют побочные явления, связанные с нестехиометричностью. В то же время это свидетельствует о сложности рассматриваемых явлений. Так, например, в германии чистая поверхность обладает слабыми полупроводниковыми свойствами р-типа; давление кислорода порядка 10 - 6 - 10 - 7 мм рт. ст. несколько увеличивает р-проводимость, однако при более высоких давлениях О2 эта пороводимость снова уменьшается: при давлении О2, равном 10 - 4 мм рт. ст., проводимость р-типа совсем исчезает. [13]
В некоторых случаях не рекомендуется пропускать в масс-спектрометр хроматографическую фракцию, соответствующую растворителю, так как в этом случае резко увеличивается число образующихся ионов, что может привести к появлению объемного заряда в ионном источнике и расфокусировке прибора. [14]
Своеобразие поведения неосновных носителей, диффузия которых происходит как диффузия нейтральных частиц, а дрейф в электрическом поле - как дрейф заряженных частиц ( не приводящий, однако, к появлению объемного заряда), позволяет использовать ряд эффективных методов исследования полупроводников и определения их важных параметров. [15]
Страницы: 1 2