Появление - объемный заряд
Cтраница 2
Однако коэффициенты диффузии электронов и дырок, как правило, различны ( при Т s300 К в Ge: Dn97 см2 / с; Dp 44 см2 / с [1313]; в Si: Dn 31 см2 / с; Dp 13 см2 / с [1712]), что приводит к появлению объемных зарядов, поле которых будет замедлять движение более быстрых и ускорять движение более медленных носителей. [16]
Ток абсорбции приводит к накоплению носителей заряда в определенных местах диэлектрика - дефектах решетки, границах раздела, неоднородностях. Вследствие появления объемных зарядов распределение напряженности поля в диэлектрике становится неоднородным. Накопление в диэлектрике объемных зарядов приводит и к такому нежелательному явлению, как неполный разряд конденсатора при коротком замыкании его обкладок, характеризуемый коэффициентом абсорбции, равным отношению остаточного напряжения к начальному. [17]
При разряде происходит нейтрализация свободных зарядов в грозовых облаках. Для того чтобы произошел очередной разряд, необходимо появление объемных зарядов, достаточных для образования критического поля разряда. Существуют различные мнения о том, каким образом осуществляется образование объемных зарядов. Так, Мейсон [115] считает, что в облаке постепенно накапливаются большие, одинаковые по величине заряды обоих знаков, причем на больших частицах - заряды одного знака, а на меньших - другого. После разряда в результате опускания больших частиц относительно меньших происходит разделение зарядов: внизу появляется свободный заряд одного знака, а вверху - противоположного. Он считает, что в условиях больших концентраций частиц с зарядами противоположных знаков и интенсивной турбулентности будет происходить быстрая нейтрализация зарядов. [18]
 |
Распределение потен - тройной ЭМИССИИ. Первые Два ТОКЗ. [19] |
Нулевой точке соответствует точка пересечения осей симметрии манометрического преобразователя. На рисунке отчетливо видны потенциальные ямы, образующиеся в пространстве ионизации манометра вследствие появления объемного заряда электронов. [20]
Свойства плазмы резко отличаются от свойств нейтральных газов. Это определяется, с одной стороны, коллективным взаимодействием большего числа частиц за счет кулоновских сил притяжения и отталкивания, с другой - появлением объемных зарядов и токов, специфических свойств вследствие более сильного действия на плазму электрических и магнитных полей. Указанные отличия позволяют рассматривать плазму как особое, четвертое состояние вещества. [21]
 |
Распределение электрического потенциала по толщине полупро. [22] |
Из рис. 1.4 видно, что при к - LD потенциал уменьшается в е раз и объемный заряд распространяется на расстояние, несколько большее, чем LD. Однако основной зяряд расположен в области шириной LD, поэтому она принимается за ширину области объемного заряда. Появление объемного заряда вызывает искривление энергетических soa. Объясним подробнее это явление для электронного полупроводника. [23]
В момент возникновения контакта между р и я-областями начинается взаимная диффузия основных носителей заряда: электронов из n - области в р-область и дырок - в обратном направлении. Будучи неосновными для второй области, они там ре-комбинируют с основными носителями. Это приводит к разделению зарядов и к появлению объемного заряда положительных до-норных ионов в и-области и отрицательных акцепторных ионов в р-области. Под действием электрического поля, созданного объемным зарядом ионов, возникает дрейф неосновных носителей заряда; электронов из р в л-область и дырок в обратном направлении. [24]
 |
Зависимость функции р.. величины параметра С. [25] |
Оно заключается в следующем. Электроны, освобожденные электрическим полем у катода, перемещаются к аноду. В головной части лидера создается сильное электрическое поле, обусловливающее дальнейшую ионизацию, появление электронного объемного заряда и прорастание лидера к аноду. Внутри лидера имеются положительные ионы и электроны-так же как и при разряде в газах. Ионизация атомов в этом объеме производится только электронами, ускоренными полем. Ударная ионизация электронами на пути лидера может продолжаться и после прорастания его до анода и завершается проплавлением диэлектрика электронным током. [26]
Распределение центров захвата в полупроводнике часто оказывается гораздо более сложным, чем рассмотренное здесь. Так, возможен случай одновременного существования ловушек нескольких сортов, причем каждому из них может соответствовать не один какой-либо уровень, а целый спектр таких уровней. Тем не менее рассмотренная выше простейшая ситуация выявляет некоторые важные моменты, связанные с измерением времени жизни, и находит практическое применение в одном или двух важных случаях. Уровни прилипания могут располагаться также и на поверхности полупроводника. В этом случае необходим особый анализ, поскольку с ними связано появление объемного заряда, играющего важную роль в процессах захвата носителей тока. [27]
Страницы: 1 2