Появление - свободный носитель
Cтраница 1
Появление свободных носителей изменяет поглощение, поскольку некоторые состояния будут запрещены. [1]
В примесных полупроводниках появление свободных носителей при низких температурах связано в основном не с переходом электронов в зону проводимости из валентной зоны, а с ионизацией локализованных электронных состояний, энергии которых лежат в запрещенной зоне. [2]
Рассмотренный механизм поглощения света, приводящий к появлению свободных носителей заряда в полупроводнике, называют фотоактивным. Поскольку при этом изменяется проводимость, а следовательно, внутреннее сопротивление полупроводника, указанное явление было названо фоторезистивным эффектом. Основное применение фоторезистивный эффект находит в светочувствительных полупроводниковых приборах - фоторезисторах ( параграф 5.2), которые широко используются в современной оптоэлект-ронике и фотоэлектронной автоматике. [3]
Процессы (3.12), ( 3.12) и (3.16), не приводящие к появлению свободных носителей тока, не вносят никакого вклада в радикалолюминесценцию. Другие процессы - (3.17), (3.19) - (3.21) и ( 3.19) - ( 3.2 Г) - не представляют интереса с точки зрения радикалолюминесценции в силу малой вероятности их протекания, а также в связи с тем, что некоторые из них не приводят к появлению свободных носителей тока. [4]
Процессы (3.12), ( 3.12) и (3.16), не приводящие к появлению свободных носителей тока, не вносят никакого вклада в радикалолюминесценцию. Другие процессы - (3.17), (3.19) - (3.21) и ( 3.19) - ( 3.21) - не представляют интереса с точки зрения радикалолюминесценции в силу малой вероятности их протекания, а также в связи с тем, что некоторые из них не приводят к появлению свободных носителей тока. [5]
В этих условиях ловушки становятся практически заполненными, и дальнейшее увеличение напряжения приводит к появлению свободных носителей, которые не могут быть захвачены. Экспериментально это проявляется в виде резкого и значительного прироста величины тока. [6]
Необходимо отметить, что наряду с фотоактивным, существуют и другие механизмы поглощения квантов света, не приводящие к появлению избыточных свободных носителей заряда в полупроводнике. К их числу относится так называемое экситонное поглощение, а также поглощение свободными носителями заряда и опти-ческими колебаниями решетки. [7]
Очевидно, что длинноволновая граница чувствительности приемника соответствует той наименьшей энергии, которая еще может обеспечить необходимые переходы, приводящие к появлению свободных носителей. [8]
Ионизирующее излучение вызывает в диэлектриках появление свободных носителей тока. Облученные диэлектрики: двуокись кремния ( кзарц, силикагель) - окись алюминия способны катализировать некоторые окислительно-восстановительные реакции. Это новое направление представляет большой интерес и сейчас развивается многими учеными. [9]
 |
Принципиальная схема измерительной установки. [10] |
Зависимость коэффициента поглощения k ( J) в примесной области от интенсивности излучения имеет также важное значение в процессах релаксации примесной фотопроводимости. В простом, случае возбуждение примесной фотопроводимости связано с появлением свободных носителей только одного знака, тогда как заряды противоположного знака остаются локализованными на атомах примеси. Поэтому процессы совместной диффузии и дрейфа пар электрон-дырка в условиях электронейтральности не могут иметь места. [11]
Но полупроводниковые преобразователи не лишены и серьезного недостатка - они подвержены сильному влиянию температуры. То, что запрещенная зона неширока, приводит к флуктуации энергии теплового движения и, следовательно, к появлению свободных носителей заряда. Еестественна поэтому и высокая фоновая проводимость. На ней прежде всего и сказываются колебания температуры. [12]
Процессы (3.12), ( 3.12) и (3.16), не приводящие к появлению свободных носителей тока, не вносят никакого вклада в радикалолюминесценцию. Другие процессы - (3.17), (3.19) - (3.21) и ( 3.19) - ( 3.21) - не представляют интереса с точки зрения радикалолюминесценции в силу малой вероятности их протекания, а также в связи с тем, что некоторые из них не приводят к появлению свободных носителей тока. [13]
Процессы (3.12), ( 3.12) и (3.16), не приводящие к появлению свободных носителей тока, не вносят никакого вклада в радикалолюминесценцию. Другие процессы - (3.17), (3.19) - (3.21) и ( 3.19) - ( 3.2 Г) - не представляют интереса с точки зрения радикалолюминесценции в силу малой вероятности их протекания, а также в связи с тем, что некоторые из них не приводят к появлению свободных носителей тока. [14]
Поэтому величина электрического сопротивления является одним из основных критериев при выборе материала для полупроводникового дозиметра. У лучших материалов мала энергия связи и ширина запрещенной зоны. Значит, появление свободных носителей заряда и возникновение тока возможны при малых значениях энергии, воздействующей на материал. В то же время небольшая ширина запрещенной зоны свидетельствует о большом фоновом токе, в присутствии которого предстоит определить сигнал, вызванный энергией излучения. [15]
Страницы: 1 2