Cтраница 2
Из полупроводника с нужными параметрами изготовляется небольшая по размерам пластинка. На ее поверхность наносятся металлические электроды, с помощью которых она включается в усилительную радиотехническую схему. На свободную поверхность пластинки направляется поток частиц, число которых нужно сосчитать. Проникающие в толщу полупроводника частицы вызывают в нем появление свободных носителей электричества - электронов и дырок, что практически моментально скажется в усилении электрического тока, текущего через полупроводниковую пластинку и соответствующие приборы. Последние обычно градуируются прямо в числах частиц, попадающих в кристаллический счетчик. [16]
Киропулоса с концентрацией К2С03 в расплаве меньше стехиометрической, нижняя часть кристалла не была окрашена, но опалесцировала, что, возможно, вызвано присутствием высокодиспергированной второй фазы. Было также обнаружено, что при содержании К20 в расплаве - 50 мол. На рис. 2.12 упрощенно показана связь между составом расплава и концентрацией свободных носителей заряда в кристалле КТН, выращенном по методу Киропулоса. Кривая 1 характеризует зависимость линии солидус - ликвидус от состава. Температура плавления изменяется в интервале 1000 200 С в зависимости от соотношения Та и Nb. Концентрация свободных носителей увеличивается в соответствии с кривой 2 при увеличении концентрации К20 в расплаве. Та, Nb) 205, что, по-видимому, приводит к увеличению в кристалле кислородных вакансий, которые могут быть заняты ионами калия. Возможно, что при концентрации К20 в расплаве 50 мол. Это способствует появлению дополнительных свободных носителей, в результате чего в структуре создаются дефекты. Коэффициент распределения РЬ2 в кристалле и расплаве больше единицы, в то время как для Са2 значительно меньше единицы. [17]