Появление - состояние
Cтраница 2
При 200 - 250 С наблюдается расслаивание надмолекулярной структуры, что обусловливает появление высокопластичного состояния у асфальтенов. Это приводит к внутриблочной дезориентации слоев, выражающейся в перемещении дифракционных рефлексов в область некогерентного рассеивания при тепловом воздействии электронного пучка. Экзотермический эффект, характерный для спиртобензольной фракции смол при 225 - 295 С, связан с уплотнением продуктов термических превращений и образованием надмолекулярных структур. Этот эффект совпадает с температурным интервалом квазиобратимого перехода при термических превращениях асфальтенов. [16]
Если разделяющую поверхность нельзя считать гиперплоскостью в пределах области, где вероятность появления состояний в эксплуатации заметно отличается от нуля, то можно попытаться осуществить аппроксимацию этой поверхности некоторым гипермногограиииком, грани которого образованы гиперплоскостями, касательными к разделяющей поверхности. [18]
При температурах 200 - 250 С наблюдается расслаивание надмолекулярной структуры, что обусловливает появление высокопластичного состояния у асфальтенов. Экзотермический эффект, характерный для спир-тобензольной фракции смол при 225 - 295 С, связан с уплотнением продуктов термических превращений и образованием надмолекулярных структур. Этот эффект совпадает с температурным интервалом квазиобратимого перехода при термических превращениях асфальтенов. [19]
В разделах 2.2 - 2.6 мы установили, что периодическая структура кристалла обусловливает появление запрещенных и разрешенных состояний энергии для электрона в кристалле, а также необходимость введения эффективной массы и квазиимпульса, что, по существу, приводит к представлению об электронах и дырках проводимости в кристалле как о квазичастицах. [20]
В разделах 2.2 - 2.6 мы установили, что периодическая структура кристалла обусловливает появление запрещенных и разрешенных состояний энергии для электрона в кристалле, а также необходимость введения эффективной массы и квазиимпульса, что по существу приводит к представлению об электронах и дырках проводимости в кристалле как о квазичастицах. [21]
В разделах 2.2 - 2.6 мы установили, что периодическая структура кристалла обусловливает появление запрещенных и разрешенных состояний энергии для электрона в кристалле, а также необходимость введения эффективной массы и квазиимпульса, что, по существу, приводит к представлению об электронах и дырках проводимости в кристалле как о квазичастицах. [22]
Небольшая начальная населенность состояний с т nq, а также ненулевая температура мешают появлению плененных состояний. [24]
Когда системы не являются независимыми, появление какого-то состояния одной из них влияет на вероятность появления состояний второй. Поэтому такого простого правила умножения вероятностей не существует. [25]
Наличие свободных поверхностей в силу резкого различия потенциальной энергии внутри и вне решетки приводит к появлению состояний другого типа, называемых поверхностными. Волновые функции этих состояний локализованы вблизи границ твердого тела, при удалении от которых их амплитула спадает. [26]
В заключение следует указать, что если имеется больше одного флуктуирующего вещества, должны существовать возможности появления неустойчивых химико-гидродинамических состояний даже в ситуациях, когда имеется химическая устойчивость и нормальные поверхностно-активные вещества ( см. стр. [27]
В смесях газов с сильно различающимися массами частиц замедлен обмен энергией между компонентами, вследствие чего возможны появление состояния с разл. Быстрее всего устанавливается равновесие электронной компоненты, затем приходит в равновесие ионная компонента, и значительно большее время требуется для установления равновесия между электронами и ионами. [28]
Если для реализации физического кэша не применяется наиболее быстродействующее запоминающее устройство, то при его использовании неизбежно появление состояний ожидания, потому что к времени доступа к кэшу добавляется время, затрачиваемое на преобразование адреса в УУСП. В случае логического кэша время преобразования к времени обращения не добавляется, но встает проблема использования одних и тех же логических адресов для разных задач в мультизадачных операционных системах. Кроме того, в мультипроцессорных системах и при наличии нескольких ведущих устройств шины в кэше могут содержаться устаревшие данные. [29]
Металлы, изоляторы и полупроводники обладают свободными поверхностями, наличие которых приводит, при определенных условиях, к появлению состояний, локализованных вблизи границы твердой фазы. [30]
Страницы: 1 2 3 4