Появление - свободный электрон
Cтраница 2
Здесь время отсчитывается от начала периода переменного напряжения, т соответствует моменту появления свободного электрона, t - моменту первого его соударения с частицей газа. Анализируя эти уравнения, Хейл приходит к заключению, что Е0, необходимое для того, чтобы критерий пробоя выполнялся, будет наименьшим для электронов, для которых т О или я, то-есть появление которых происходит в тот момент времени, когда напряженность поля проходит через нуль. [16]
Тип разупорядоченности с катионами в междоузлиях вызывает либо понижение валентности какого-либо катиона, либо появление свободного электрона в решетке. [17]
Свободные носители заряда могут появиться также и в полупроводниках, но этот процесс отличается от процесса появления свободных электронов в металле, что объясняется различиями кристаллической решетки металла и полупроводника. [18]
Регистрируемая частица ( электрон, а-частица), пролетая в разряженном газе, вызывает начальную ионизацию с последующим появлением свободных электронов. Пространство газообразной трубки таким образом ионизируется и становится электропроводящим. Через пространство газоразрядной трубки между катодом и анодом протекает короткий импульс тока, который одновременно протекает и через сопротивление R. На сопротивлении нагрузки возникает импульс напряжения, который далее усиливается посредством импульсного усилителя и поступает в регистрирующее устройство. [19]
При повышении температуры или при облучении увеличивается энергия части электронов, что приводит к частичному нарушению ковалентных связей и появлению свободных электронов. Германий уже при комнатной температуре становится полупроводником. [20]
 |
Диаграмма напряжений на электродах счетчика при действии гасящей схемы. [21] |
Принцип действия самогасящихся счетчиков основан на применении таких газов, ионы которых, достигая катода, по тем или иным причинам не вызывают на нем появления свободных электронов, которые могли бы вызвать ложный разряд. Чтобы разобраться в этих причинах, рассмотрим процессы, возникающие на катоде при падении на него ионов. [22]
Первые лазеры непрерывного действия были получены в 1961 г. [9] на смеси двух газов - гелия и неона, в которой поддерживался газовый разряд, вызывающий появление свободных электронов и ионов. [23]
Поскольку в [18] было показано, что для фотографических слоев на СВЧ измеряется главным образом объемная, а не поверхностная проводимость микрокристаллов AgBr и ZnO, то в данных опытах прямым образом доказывается появление свободных электронов в объеме полупроводника при поглощении фотонов адсорбированными молекулами красителя. [24]
Отсюда возникает задача физико-химического исследования золы, направленного не только на рациональное сжигание ископаемого угля в современных топочных устройствах, но и на раскрытие процесса химического реагирования, происходящего в ней при нагреве, с выяснением закономерностей кристаллизации продуктов реагирования, обеспечивающих появление свободных электронов в частицах золы. [25]
Когда начинается такая реакция, формовка замедляется, а освободившиеся электроны входят в оксидный слой. Появление свободных электронов в оксидном слое рассматривается как первая стадия пробоя. [26]
Возникновение самопроизвольных разрядов связано с появлением в объеме счетчика большого количества свободных электронов, которые, двигаясь под действием электрического поля к нити счетчика, вызывают самостоятельный разряд. Причины появления свободных электронов окончательно еще не выяснены. Экспериментально установлено, что их количество растет с увеличением тока в разряде и, следовательно, с повышением напряжения. [27]
Один атом примеси приходится на 105 - 10б атомов решетки полупроводника. Примеси, приводящие к появлению свободных электронов, называются донорными. [28]
Очевидно, при Дп, Ар 0 неравновесная концентрация больше равновесной, а при An, Л / 7 0 - меньше равновесной. Процесс, приводящий к появлению свободных электронов или дырок, или тех или других носителей одновременно, называется процессом генерации носителей заряда, а обратный процесс, приводящий к исчезновению пары свободных электрона и дырки, - процессом рекомбинации носителей заряда. [29]
Очевидно, при An, A / J 0 неравновесная концентрация больше равновесной, а при А / г, Д / 7 О меньше равновесной. Процесс, приводящий к появлению свободных электронов или дырок или тех или других носителей одновременно, мы будем называть процессом генерации носителей заряда, а обратный процесс, приводящий к исчезновению пары свободных электрона и дырки, - процессом рекомбинации носителей заряда. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5