Появление - свободный электрон
Cтраница 3
Очевидно, при Дп, Ар 0 неравновесная концентрация больше равновесной, а при An, Л / 7 0 - меньше равновесной. Процесс, приводящий к появлению свободных электронов или дырок, или тех или других носителей одновременно, называется процессом генерации носителей заряда, а обратный процесс, приводящий к исчезновению пары свободных электрона и дырки, - процессом рекомбинации носителей заряда. [31]
При переходе из возбужденного состояния в нормальное энергия электронов выделяется в виде света. Возникновение же электропроводности объясняется появлением свободных электронов в результате их отрыва от некоторой части атомов. [32]
 |
Схема полупроводникового счетчика с р - - переходным слоем. - траектория заряженной частицы, 2 - область р - гс-перехода, 3 - р-слой. [33] |
При наличии даже небольшого количества примесей определенного вида электрические свойства чистого проводника резко меняются. Примеси одного вида приводят к появлению свободных электронов. Такой полупроводник называется донорным, или полупроводником п-типа. [34]
 |
Схема полупроводникового счетчика с р - га-переходным слоем. / - траектория заряженной частицы, 2 - область р-п-перехода, 3 - р-слой. [35] |
При наличии даже небольшого количества примесей определенного вида электрические свойства чистого проводника резко меняются. Примеси одного вида приводят к появлению свободных электронов. Такой полупроводник называется донорным, или полупроводником п-тшга. [36]
Все механизмы поглощения света, приводящие к появлению свободных электронов, называются фотоактивными, и если бы других механизмов поглощения света не было, то квантовый выход всегда был бы равен единице. [37]
Электропроводность полупроводников сильно зависит и от их освещенности, значительно возрастая при ее увеличении. Происходит это в результате разрыва связей между атомами и появления свободных электронов и дырок в полупроводнике за счет энергии светового потока, падающего на полупроводник. [38]
 |
Схем переходов электронов из валентной зоны в зону проводимости и обратно через рекомбинационные ловушки. [39] |
Этот процесс приводит к появлению дырки, но не приводит к появлению свободного электрона. [40]
Существуют две причины, препятствующие проявлению эффекта легирования в аморфных германии и кремнии, если легирующие примеси вводить обычными методами. Первая состоит в том, что добавление мышьяка обычно не приводит к появлению свободных электронов, так как атомы мышьяка часто занимают позиции, окруженные лишь тремя ближайшими соседями. Вторая причина заключается в том, что если бы свободные электроны удалось ввести в структуру стекла, то они вскоре оказались бы пойманными в ловушки ненасыщенных связей атомов германия, координирующих вокруг себя лишь три соседних атома. Поэтому эти свободные электроны скоро перестали бы участвовать в переносе электрического заряда. [42]
Электропроводность химически чистого полупроводника оказывается возможной в тех случаях, когда ковалентные связи в кристаллах разрываются. Например, нагревание до сравнительно невысоких температур приводит к разрыву ковалентных связей, появлению свободных электронов и возникновению собственной электронной проводимости ( проводимости п-типа)) чистого полупроводника. [43]
Электропроводность химически чистого полупроводника оказывается возможной в тех случаях, когда кова-лентные связи в кристаллах разрываются. Например, нагревание до сравнительно невысоких температур приводит к разрыву ковалентных связей, появлению свободных электронов и возникновению собственной электронной проводимости ( проводимости п-типа)) чистого полупроводника. Энергия, которая должна быть затрачена для создания в кристаллах чистых полупроводников электропроводности, называется энергией активации собственной проводимости. Ее значения в электрон-вольтах для различных полупроводников указаны на рис. III.3.10 в кружках. [44]
Плавление теллура также не сопровождается существенным изменением координационного числа ( К2) и межатомного расстояния ( 2 86 А), что указывает на сохранение ковалентных связей в жидком состоянии, однако энтропия плавления теллура намного выше, чем у серы и селена. Это может быть связано со значительным распадом цепей на двухатомные молекулы при плавлении и появлением свободных электронов. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5