Правило - отражение
Cтраница 1
Правило отражения приводит к безошибочному движению по направлению к оптимуму в условиях отсутствия ошибок. В реальных условиях при применении ПСМ для целей эмпирической оптимизации, ошибки эксперимента могут приводить к ложным шагам. Чтобы избежать этого, рекомендуется через определенное число шагов все старые наблюдения заменить новыми. [1]
 |
Построение новой ( правило отражения. [2] |
Правило отражения, как уже указывалось, состоит в том, что наихудшая вершина симплекса отражается относительно противоположной грани симплекса. [3]
Правило отражения приводит к безошибочному движению по направлению к оптимуму в условиях отсутствия шума. В реальных условиях, при применении ПСМ для целей эмпирической оптимизации, ошибки эксперимента могут приводить к ложным шагам и нарушению движения и даже к его прекращению. Процедура отражения, состоящая в последовательном исключении плохих точек, приводит к тому, что ложные заниженные результаты ( случайные отрицательные ошибки) имеют тенденцию исключаться из системы, в то время как случайные положительные ошибки имеют склонность накапливаться в системе. Поэтому основные неприятности при симплекс-планировании обычно связаны с завышенными ложными значениями отклика. [4]
Правило отражения: химико-аналитические признаки веществ, отражаясь в выбранной системе разделения и детектирования, создают химико-аналитические коды веществ, являющиеся набором количественных значений отношений параметров удерживания средств разделения и чувствительностей средств детектирования. [5]
В данной ситуации нарушено правило отражения в учете сальдо по счетам расчетов. В соответствии с требованиями приказа МФ РФ от 12.11.199 6 г. № 97 О годовой бухгалтерской отчетности организаций в балансе сальдо по счетам расчетов ( счету 60 Расчеты с поставщиками и подрядчиками) должно показываться развернуто, отдельно дебетовый и кредитовый оборот. В связи с взаимопогашением дебетового сальдо искажена валюта баланса. [6]
Положим, что при использовании правила отражения получена новая точка, в которой отклик является лучшим по сравнению с откликами во всех вершинах исходного симплекса. Тогда рекомендуется сделать еще один шаг по линии, проходящей через плохую точку и центр противолежащей грани. Это и составляет правило растяжения. Применение такого правила приводит к вытягиванию симплекса в предпочтительном направлении. [7]
В соответствии с этим легко сформулировать и правило отражения электрических зарядов в граничных поверхностях диэлектрических сред. [8]
Движение симплекса в область оптимума производится по правилу отражения, когда вершина симплекса с наихудшим значением параметра оптимизации заменяется новой, симметрично отраженной по отношению к цротиволежащей грани. [9]
Отличить друг от друга изомеры можно при помощи правила отражения. [10]
Мы находим простой способ чтения матриц S по правилу отражения. Пусть элемент а1 связывает всегда элемент а в своем столбце / на диагонали с элементом а т в своей строке т на диагонали. Отсюда, желая знать, с каким элементом и; связан данный элемент am ( например, а4 в (8.5) мы должны в строке последнего m - элемента ( здесь 4-го) дойти до элемента а / т ( здесь а) вне диагонали и, образовав прямой угол, идти по столбцу до пересечения с диагональю, где и стоит искомый элемент ai ( здесь 0), пропуская другие недиагональные элементы, если они встречаются по пути ( здесь а з) - Желая узнать, с каким а связан дальше а / ( здесь а), мы должны с вертикали снова свернуть на горизонталь; при этом мы отражаемся от диагонали, если в строке / ( здесь 2 - й) есть а1 с той же стороны диагонали ( здесь а 2), или пересекаем диагональ, если а1 - с другой стороны диагонали. При этом путь отражений образует прямой угол, преломляется. Повторяем так дальше, пока не закончим цепь ( для (8.5): цепь а, а. Потом повторяем процесс для элементов, не вошедших в предыдущую операцию, пока не переберем их все, что и дает нам остальные цепи ( здесь а, а з) или циклы. [11]
 |
Схема зацикливания симплекса. [12] |
Главное правило, регламентирующее перемещение симплекса, называется правилом отражения. [13]
При этом для частиц создают лабиринты, руководствуясь правилом отражения частиц от поверхности экранов. Допускается попадание частиц на поверхность изоляторов только после третьего отражения. При создании лабиринтов разработчики стремятся к минимальным возможным расстояниям между элементами экранной системы, что приводит к росту напряженности поля на поверхностях экранов. [14]
 |
Пример оптимизации симплексным методом. [15] |
Страницы: 1 2 3