Cтраница 1
Анионные вакансии существуют лишь недолго, так как они немедленно объединяются с первичными или вторичными электронами, снова образуя / - центры. Таким образом, число - центров остается практически постоянным. [1]
Анионные вакансии также присутствуют в NaCl, однако их подвижность много меньше. [2]
Анионные вакансии, образующиеся при восстановлении, быстро дезактивируются. Активные центры, образующиеся при сульфидировании, более устойчивы, и они, по-видимому, ответственны за каталитическую активность. [3]
Анионные вакансии ассоциируют с анионами, заряд которых больше заряда остальных анионов кристалла; это - анионные дефекты замещения. [4]
Изолированные анионные вакансии имеют положительный эффективный заряд и поэтому могут притягивать электроны проводимости, образуя при этом электрически нейтральные комплексы. [5]
Число анионных вакансий должно быть того же порядка, и отсюда можно заключить, что эффективными ловушками могут быть либо анионные. Существование анионных вакансий в этом случае более вероятно, так как - центры при более высоких температурах устойчивее, чем 1 / - центры. [6]
Каждой анионной вакансии соответствует один избыточный катион, так что паре дефектов соответствуют два иона металла. [7]
U для одиночной анионной вакансии равно 0 9 эв и для одиночной катионной вакансии равно - 2 эв. F-центра), так как электрон испытывает гораздо более сильное притяжение к анионной вакансии, чем катионная вакансия. Вычисления показывают, что для NaCl энергия связи электрона в / - центре ( гл. Общий эффект ( см. рис. 9) состоит в появлении / - центров внутри кристалла. Вывод о существовании пар вакансий подтверждается также некоторыми другими данными о поглощении света, которым трудно дать иное объяснение. [8]
Здесь V - анионная вакансия; [ С4Н7 ] - - отрицательно заряженный ал-лильный карбанион на месте вакансии; [ МоЛС4Н7 ] 3 - л-комплекс ал-лилового радикала с Mo-ионом, восстановленным из шестизарядного в пятизарядный. В схеме не показано участие ионов висмута, между тем без висмута окись молибдена малоактивна. [9]
Зависимость полуширины f - n лосы ( 1 и концентрации дефектов Шоттки ( 2 от состава твердых растворов KCI - КВг. [10] |
Резонансные свойства системы анионная вакансия - - электрон таковы, что свет определенной длины волны поглощается кристаллом. [11]
Режимы диффузии в ионных кристаллах. / - Собственная область. [12] |
Наоборот, концентрация анионных вакансий сильно понижена и коэффициент самодйффузии анионов уменьшается. При более низких температурах или в более загрязненных кристаллах примесные вакансии могут остаться. [13]
Образование кластеров из анионных вакансий в щелочных галогенидах приводит к возникновению агрегатов / - - центров. Центр состоит из двух анионных вакансий плюс электронный центр с осью симметрии вдоль направления [011] или эквивалентного ему направления. Взаимодействие двух электронов дает диамагнитное основное состояние ( 5 0) плюс возбужденный триплет ( 51) ( разд. [14]
Если донорные уровни анионных вакансий лежат ниже акцепторных уровней катионных вакансий ( рис. 5.1 а), то в основном состоянии кристалла электроны локализованы на анионных вакансиях, обеспечивая их. В свою очередь катионные вакансии лишены электронов и также находятся в нейтральном состоянии. Такая ситуация типична для валентных соединений с малой долей ионной связи. [15]