Анионная катионная вакансия

Cтраница 1

Анионные и катионные вакансии в полярных кристаллах, а - параЖвакансий Уд, УС; б - вакансия УА, связанная с избытком катиона. [1]

Кривая отклонения от стехиометрического состава поверхностных окислов, возникающих на железе при анодной поляризации. [2]

Поскольку анионные и катионные вакансии обладают соответственно свойствами доноров и акцепторов электронов, переход к стехиометрическому составу приводит к акцепторно-донорной компенсации у окисла, благодаря чему концентрация Fe2 ( или концентрация З - электронов) в окисле уменьшается. [3]

Для того чтобы судить об изменениях концентрации анионных и катионных вакансий при электролитическом окрашивании ще-лочно-галоидных кристаллов, необходимо провести целенаправленные экспериментальные исследования. Известно, что при пониженных значениях температуры ( 9 100 С) даже у окрашенных кристаллов электропроводность обусловлена практически только перемещением катионных вакансий, так как вероятность перехода электронов с / уровней в зону проводимости или подвижность анионных вакансий при этих значениях 0 весьма малы. [4]

Таким образом, в NaCI присутствуют в равном числе анионные и катионные вакансии, но ионы в междуузлиях фактически отсутствуют. [5]

В реальных окислах преобладающим типом дефектности являются дефекты нестехиометрии: анионные, катионные вакансии и атомы в междоузлиях. [6]

В неорганических ( ионных) кристаллах, кроме описанного действия ионизирующих излучений, имеют место процессы нарушения кристаллической решетки - образование дефектов: анионных и катионных вакансий, внедренных атомов, дислокаций разного рода, клиньев смещения. [7]

Спектр поглощения сильно. [8]

Рассматривая различные виды дефектов решетки, их равновесные концентрации, подвижность и взаимодействие, Зейтц [13] приходит к выводу о том, что сложные электронные центры поглощения возникают в щелочно-галоидных кристаллах вследствие коагуляции F - центров, анионных и катионных вакансий. [9]

Первый случай наблюдается, например, для окисных катализаторов за счет обогащения или обеднения поверхности окисла кислородом по сравнению со стехнометрнческим составом, как то имеет место при разложении метанола па окиси цинка, или, что по сути тоже самое, за счет изменения концентрации анионных и катионных вакансий, как в реакции окисления СО на окислах марганца. Для кислотно-основных катализаторов такое влияние среды, как указывалось, связано с изменением функции кислотности поверхности от степени гидратации. Поскольку при реакциях гидратации-дегидратации имеет место равновесие гидратирован-ных и дегидратированных форм катализатора, а функция кислот ностн поверхности есть некоторая нелинейная функция от парциального давления водяного пара, то кинетическое уравнение реакции гидрации может иметь вид r - dC / dt & ( Я0) / [ Н2О ] Сп [ Н2О ] т, где п и т - эффективные порядки реакции по концентрациям субстрата и воды, а / [ Н2О ] - эмпирическая зависимость функции кислотности поверхности от парциального давления водяного пара. Очевидно, что, хотя в данном случае и не происходит фазового превращения катализатора, кинетика реакции может быть значительно усложнена. Аналогичные закономерности могут иметь место и при других видах влияния среды на поверхность катализатора. [10]

Влияние поверхностных зарядов, рассмотренное в главе XIX, позволяет предположить особый механизм увеличения скорости при поверхностной диффузии. В частности, разница в энергии образования анионных и катионных вакансий в галогенидах щелочных металлов приводит к положительному поверхностному заряду, который компенсируется пространственным зарядом в приповерхностном слое за счет избытка ионных вакансий металла по сравнению с ионными вакансиями галогена. [11]

Экспериментально установлено [179], что процесс окисления нафталина промотируют пары воды, которые ослабляют связь хемосорбированного кислорода с поверхностью адсорбционных полостей цеолита. Высказано предположение, что местами локализации хемосорбированного кислорода будут не только анионные и катионные вакансии решетки, как это отмечено [599], но и другие структурные элементы алюмосиликатного каркаса. [12]

Облучение кристаллов ведет как к изменению регулярности строения кристаллической решетки, так и к радио-лизу химического соединения, образующего кристалл. Исследования показали, что облучение ионных кристаллов ведет к увеличению числа анионных и катионных вакансий. При этом часть электронов, образовавшихся в результате радиолиза, занимают анионные вакансии. Подобное расположение электронов обусловливает изменение электропроводности по сравнению с электропроводностью необлученного кристалла. [13]

Дефекты структуры кристалла стехиометрического состава разделяются на два типа. Во-первых, это дефекты ( так называемые дефекты Шоттки), которые содержат анионные и катионные вакансии в эквивалентных количествах, и, во-вторых, дефекты по Френкелю, которые содержат дефекты либо в одной катион-ной, либо в одной анионной подрешетке, а парные дефекты состоят из вакансий или внедренных атомов одного и того же компонента. [14]

Типы дефектов тонкой структуры. [15]

Страницы: 1 2