Cтраница 1
Одиночные вакансии и междоузельные атомы не во всех случаях заметно препятствуют движению дислокаций, в то время как упругое взаимодействие чужеродных атомов с дислокациями очень эффективно и значительно изменяет пластические свойства кристалла. [1]
Простейший случай предполагает существование одиночных вакансий и дивакансий. [2]
Первое уравнение описывает образование одиночных вакансий в узлах М и X за счет перехода атомов М и X из нормальных узлов решетки на поверхность кристалла. [3]
Указанные соображения относятся к образованию одиночных вакансий, произвольно распределенных по узлам. [4]
При данной температуре в кристалле создаются не только одиночные вакансии ( рис. 8 6) но и двойные, тройные и более крупные. [5]
Скорость диффузии дивакансии значительно ниже скорости диффузии одиночных вакансий. [6]
Рассеяние электронов на структурных дефектах ( в основном на одиночных вакансиях и образованных ими кластерах внутри зерен, а также на границах зерен) оказывает наиболее существенное влияние на удельное сопротивление пленок, если их толщина сравнима или превышает среднюю длину / свободного пробега электронов. [7]
В первом варианте ввиду тепловых флуктуации, возникают различного рода точечные ( одиночные вакансии и их скопления, междоузельные атомы) и линейные дефекты. Находящиеся в тепловом равновесии точечные дефекты при быстром охлаждении до достаточно низких температур могут быть заморожены. В результате достигается обычная избыточная для данной температуры концентрация дефектов за счет закалки. При закалке до высоких температур вакансия может совершить большое число переходов, что приводит к появлению скоплений вакансий, возникающих обычно вблизи дислокаций. Такие скопления могут рас-средотачиваться лишь за счет самодиффузии. [8]
Разобьем все точечные дефекты на две группы; в группу I входят т изолированных одиночных вакансий, а в группу II - К, дивакансий. Обозначим энергии образования дефектов, относящихся к группам I и II, через EI и Е2 соответственно. [9]
В процессе охлаждения, кроме того, может происходить аннигиляция точечных дефектов или образование бивакансий, которые диффундируют еще быстрее, чем одиночные вакансии. Большая скорость охлаждения может также вызвать большие напряжения и пластическую деформацию. Возникающие при этом дислокации могут действовать как ловушки или источники вакансий. [10]
Таким образом, квазирешеточная и дырочная модели дают удовлетворительное объяснение энтропии плавления простых ионных жидкостей только в том случае, если принимается во внимание возможность рекомбинации одиночных вакансий и образования укрупненных дырок. [11]
Вакансии также образуются в процессе пластической деформации, рекристаллизации металла. При данной температуре в кристалле создаются не только одиночные вакансии, но и двойные, тройные и их группировки. Коагуляция вакансии приводит к образованию в сталях микропор. [12]
Кристалл, находящийся при данной температуре в термодинамическом равновесии, имеет равновесную концентрацию тепловых вакансий. При данной температуре в кристалле создаются не только одиночные вакансии ( рис. 8), но и двойные, тройные и их группировки. [13]
Кристалл, находящийся при данной температуре в термодинамическом равновесии, имеет равновесную концентрацию тепловых вакансий. При данной тег пературе в кристалле создаются не только одиночные вакансии ( см. рис. 9, а), но и двойные, тройные и их группировки. [14]
При сокристаллизации из расплава потоки р -, являются функциями температуры; при захвате из раствора и пара они могут меняться также в результате изменения концентрации кристалли-занта Ск, если он конкурируете примесью за места в кристаллической решетке. В принципе, каждая i-форма примеси может разместиться в междоузлиях кристаллической решетки, заполнить одиночные вакансии или ассоциаты вакансии в кристаллах. [15]